发明名称 高光电转换率,多层超薄膜P-N节太阳能电池工艺
摘要 本项发明属于新的太阳能电池结构和工艺。本项发明使用溅射(PVD)方法在不锈钢薄片上形成多层超薄膜P-N节。太阳能电池光电转换效率可以高达50%。
申请公布号 CN101207166A 申请公布日期 2008.06.25
申请号 CN200610157676.7 申请日期 2006.12.19
申请人 康优梅;王在昕 发明人 王在昕;康优梅
分类号 H01L31/18(2006.01);H01L31/068(2006.01);H01L31/042(2006.01) 主分类号 H01L31/18(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.P-型半导体和N-型半导体做溅射靶材。
地址 518028广东省深圳市福田区百花四路长安花园B-10H