发明名称 |
高光电转换率,多层超薄膜P-N节太阳能电池工艺 |
摘要 |
本项发明属于新的太阳能电池结构和工艺。本项发明使用溅射(PVD)方法在不锈钢薄片上形成多层超薄膜P-N节。太阳能电池光电转换效率可以高达50%。 |
申请公布号 |
CN101207166A |
申请公布日期 |
2008.06.25 |
申请号 |
CN200610157676.7 |
申请日期 |
2006.12.19 |
申请人 |
康优梅;王在昕 |
发明人 |
王在昕;康优梅 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01);H01L31/068(2006.01);H01L31/042(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.P-型半导体和N-型半导体做溅射靶材。 |
地址 |
518028广东省深圳市福田区百花四路长安花园B-10H |