| 发明名称 | 在SST型闪存制作工艺中改善放电尖角的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在SST型闪存制作工艺中改善放电尖角的方法，它提高保留最终浮栅的放电尖角上部的横向延展部分的可靠性，进而改善了放电尖角。它包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上生长一层浮栅氧化层，然后在浮栅氧化层上沉积一层浮栅多晶硅；步骤2，接下来再沉积一层薄膜层和一层氮化硅，并将氮化硅作为浮栅刻蚀时的硬掩膜层；步骤3，对氮化硅进行刻蚀，将部分浮栅多晶硅暴露出来；步骤4，再次沉积一层氮氧化硅，然后利用反应离子蚀刻氮氧化硅，并利用浮栅多晶硅作为刻蚀终止层，以形成氮氧化硅的侧壁保护层；步骤5，在浮栅多晶硅打开的地方进行局部热氧化和刻蚀，以形成放电尖角。 | ||
| 申请公布号 | CN101207023A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610147411.9 | 申请日期 | 2006.12.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 杨鹏;杨斌;龚新军 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种在SST型闪存制作工艺中改善放电尖角的方法，在SST型闪存制作工艺包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上生长一层浮栅氧化层，然后在浮栅氧化层上沉积一层浮栅多晶硅；步骤2，接下来再沉积一层薄膜层和一层氮化硅，并将氮化硅作为浮栅刻蚀时的硬掩膜层；步骤3，对氮化硅进行刻蚀，将部分浮栅多晶硅暴露出来；其特征在于，还包括：步骤4，再次沉积一层氮氧化硅，然后利用反应离子蚀刻氮氧化硅，并利用浮栅多晶硅作为刻蚀终止层，以形成氮氧化硅的侧壁保护层；步骤5，在浮栅多晶硅打开的地方进行局部热氧化和刻蚀，以形成放电尖角。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||