| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 在制造半导体器件的一种方法中，此方法包括：a)制备一种类型的ASIC芯片；b)制备不同的存储芯片；c)制备共用的电路基板；d)制备包括布线图的底座端子芯片，所述布线图具有存储芯片端子和外部连接端子；e)通过倒装片结合的方式把一个ASIC芯片安装在共用的电路基板上；f)把所述底座端子芯片固定在此ASIC芯片上；g)把存储芯片之一安装在底座端子芯片上；h)使用第一导线把所述存储芯片之一上的端子电连接到存储芯片端子；并且i)使用第二导线把外部连接端子电连接到共用的电路基板上的端子。 | ||
| 申请公布号 | CN101207053A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200710300684.7 | 申请日期 | 2007.12.21 |
| 申请人 | 新光电气工业株式会社 | 发明人 | 佐藤仁志;井上英俊 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L25/18(2006.01);H01L23/488(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈源;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，此方法包含步骤：a)制备一种类型的ASIC芯片；b)制备彼此不同的存储芯片；c)制备共用的电路基板；d)制备包括布线图的底座端子芯片，所述布线图具有存储芯片端子和外部连接端子；e)通过倒装片结合的方式把所述ASIC芯片安装到所述共用的电路基板上；f)把所述底座端子芯片固定在所述ASIC芯片上；g)把存储芯片之一安装在所述底座端子芯片上；h)使用第一导线把所述存储芯片之一上的端子电连接到所述存储芯片端子；以及i)使用第二导线把所述外部连接端子电连接到所述共用的电路基板上的端子。 | ||
| 地址 | 日本长野县 | ||