| 发明名称 | 通孔的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种通孔的形成方法，包括步骤：提供衬底；对所述衬底进行光刻处理，形成具有第一孔径的孔图案；沉积附加介质层；刻蚀所述衬底，在所述衬底上形成具有第二孔径的通孔。采用本发明的形成方法形成的通孔，尺寸均匀、形状规则，且孔径的可调整范围较大，可控性较强，形成质量较高。 | ||
| 申请公布号 | CN101207069A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610147808.8 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 杜珊珊;韩秋华;张世谋 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种通孔的形成方法，包括步骤：提供衬底；对所述衬底进行光刻处理，形成具有第一孔径的孔图案；沉积附加介质层；刻蚀所述衬底，在所述衬底上形成具有第二孔径的通孔。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||