| 发明名称 | 凸点的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种凸点的形成方法，包括：在半导体衬底上形成金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层的第一开口暴露出金属垫层，所述钝化层为高分子聚合物；在钝化层及其第一开口内形成金属层；在金属层上形成第二开口；在金属层上依次形成电镀籽晶层和凸点层；去除光刻胶；蚀刻金属层，形成凸点下金属层；形成凸点；本发明还包括在蚀刻金属层之后，采用反应离子刻蚀装置产生的等离子体灰化处理钝化层步骤，去除高分子材料聚合物表面上残留金属离子，降低了高分子聚合物钝化层表面的漏电流，增强了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101207046A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610147430.1 | 申请日期 | 2006.12.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 靳永刚 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种凸点的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层的第一开口暴露出金属垫层，所述钝化层为高分子聚合物；在钝化层及其第一开口内形成金属层；在金属层上形成光刻胶，定义出金属垫层形状，形成第二开口，暴露出金属层；在第二开口内、金属层上依次形成电镀籽晶层和凸点层；去除光刻胶；蚀刻金属层，形成凸点下金属层，暴露出钝化层；采用反应离子刻蚀装置产生的等离子体灰化处理钝化层；形成成凸点。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||