| 发明名称 | 非易失性存储器及在非易失性存储器中编程的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了在非易失性存储器中编程的方法，使用增量步进脉冲作为被施加到所选择的字线的编程电压。本方法可以包括：施加预充电电压到偶数位线和奇数位线，以便该偶数位线和该奇数位线被交替地充以预充电电压和高于该预充电电压的升压电压。本方法可以还包括：施加与编程数据相对应的位线电压到偶数位线和奇数位线中所选择的位线。 | ||
| 申请公布号 | CN101206922A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200710160149.6 | 申请日期 | 2007.12.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴起台;李永宅;金奇南;金杜坤 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邵亚丽 |
| 主权项 | 1.一种在非易失性存储器中编程的方法，使用增量步进脉冲作为被施加到所选择的字线的编程电压，该方法包括：施加预充电电压到偶数位线和奇数位线，以便该偶数位线和该奇数位线被交替地充以所述预充电电压和高于该预充电电压的升压电压；以及施加与编程数据相对应的位线电压到所述偶数位线和奇数位线中所选择的位线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||