发明名称 半导体不良解析装置、不良解析方法、不良解析程序及不良解析系统
摘要 由至少取得半导体设备的图案图像(P1)的检测信息取得部(11);取得布局图像(P3)的布局信息取得部(12);对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13);和将不良解析的信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)构成不良解析装置(10)。解析画面显示控制部(14),作为显示在显示模块(40)的半导体设备的图像,生成将图案图像(P1)和布局图像(P3)重叠后的重叠图像;同时,设定重叠图像上的布局图像(P3)对图案图像(P1)的透过率。由此,实现了能确实且高效地进行半导体设备的不良解析的半导体不良解析装置、解析方法、解析程序、及解析系统。
申请公布号 CN101208609A 申请公布日期 2008.06.25
申请号 CN200680022712.7 申请日期 2006.06.20
申请人 浜松光子学株式会社 发明人 武田雅裕;堀田和宏
分类号 G01R31/302(2006.01);H01L21/66(2006.01) 主分类号 G01R31/302(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 龙淳
主权项 1.一种半导体不良解析装置,使用半导体设备的观察图像对其不良进行解析,其特征在于,具备:检测信息取得模块,取得检测信息,该检测信息至少包含半导体设备的通常观察图像的图案图像,并将其作为观察图像;布局信息取得模块,取得含有所述半导体设备的布局图像的布局信息;不良解析模块,参照所述观察图像对所述半导体设备的不良进行解析;和信息显示控制模块,将关于所述半导体设备的不良解析的信息显示在显示模块上,所述信息显示控制模块具有:重叠图像生成模块,作为显示在所述显示模块上的所述半导体设备的图像,生成将所述图案图像和所述布局图像重叠后的重叠图像;和透过率设定模块,设定在所述重叠图像中所述布局图像相对于所述图案图像的透过率。
地址 日本静冈县