| 发明名称 |
碳纳米管阵列的制备方法 |
| 摘要 |
一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底包括相对的第一表面及第二表面；在上述基底第一表面形成一催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以激光束聚焦照射上述基底第二表面从而生长碳纳米管阵列。 |
| 申请公布号 |
CN101205061A |
申请公布日期 |
2008.06.25 |
| 申请号 |
CN200610157866.9 |
申请日期 |
2006.12.22 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
陈卓;罗春香;姜开利;范守善 |
| 分类号 |
C01B31/02(2006.01);B82B3/00(2006.01);C03C17/22(2006.01);C08J7/04(2006.01);C23C16/26(2006.01);C04B41/50(2006.01) |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底包括相对的第一表面及第二表面；在上述基底第一表面形成一催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以激光束聚焦照射上述基底第二表面从而生长碳纳米管阵列。 |
| 地址 |
100084北京市海淀区清华大学清华－富士康纳米科技研究中心310号 |
