| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括至少一个半导体构件(3)，该半导体构件(3)具有形成在半导体衬底(5)上的多个连接焊盘(6)。绝缘部件(14、14A)设置在半导体构件(3)的一侧上。上部互连(17、54)具有连接焊盘部分，所述连接焊盘部分设置在对应上部互连的绝缘板件(14、41A)上并连接到半导体构件(3)的外部连接电极(12)上。 | ||
| 申请公布号 | CN100397629C | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200480000058.0 | 申请日期 | 2004.01.16 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社;CMK株式会社 | 发明人 | 三原一郎;若林猛;城户利浩;定别当裕康;吉野裕;影山信之;河野大太;吉泽润 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01);H01L23/485(2006.01) | 主分类号 | H01L23/31(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 刘炳胜 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于包括：至少一个半导体构件(3)，具有：具备多个连接焊盘(6)的半导体衬底(5)、形成在半导体衬底(5)上且具有露出所述各连接焊盘(6)的开口部分(10)的绝缘膜(9)、分别经由开口部分(10)与所述连接焊盘(6)连接且延伸到所述绝缘膜(9)上的互连(11)、以及设置在所述互连(11)上的多个外部连接电极(12)；设置在所述半导体构件(3)周围的第一绝缘材料(14、14A)；和具有连接焊盘部分的多个上部互连(17、54)，其中连接焊盘部分设置在所述第一绝缘材料(14、14A)上并对应上部互连，并电连接到所述半导体构件(3)的外部连接电极(12)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||