| 发明名称 | 半导体器件金属连接孔的制造方法和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件金属连接孔的制造方法，包括：在半导体衬底表面形成MOS器件，所述MOS器件包括栅极、源区和漏区，在所述栅极表层形成有栅极金属硅化物；在所述源区和漏区表层形成有源漏金属硅化物；所述栅极两侧具有包括氧化硅层和氮化硅层的侧壁隔离物；腐蚀所述衬底表面的所述氧化硅层，在所述侧壁隔离物与源区和漏区的表面之间形成凹陷；沉积介质层并刻蚀所述介质层形成通孔，所述通孔底部露出所述源漏金属硅化物；在所述源漏金属硅化物表面沉积黏附层；在所述通孔中填充金属形成金属连接孔。本发明的方法能够防止金属硅化物转变为高阻态和向沟道方向的扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN101207068A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610147807.3 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 马擎天;韩秋华 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/532(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件金属连接孔的制造方法，包括：在半导体衬底表面形成MOS器件，所述MOS器件包括栅极、源区和漏区，在所述栅极表层形成有栅极金属硅化物；在所述源区和漏区表层形成有源漏金属硅化物；所述栅极两侧具有包括氧化硅层和氮化硅层的侧壁隔离物；腐蚀所述衬底表面的所述氧化硅层，在所述侧壁隔离物与源区和漏区的表面之间形成凹陷；沉积介质层并刻蚀所述介质层形成通孔，所述通孔底部露出所述源漏金属硅化物；在所述源漏金属硅化物表面沉积黏附层；在所述通孔中填充金属形成金属连接孔。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||