发明名称 图像传感器和其制造方法
摘要 提供了图像传感器以及制造方法。可以在光电二极管区域上形成可包含沟槽的绝缘层结构。可以在具有对应于光电二极管区域中的光电二极管的滤色器的绝缘层结构上形成滤色器2结构。所述滤色器的上表面可以大致互相平齐。
申请公布号 CN101207148A 申请公布日期 2008.06.25
申请号 CN200710302128.3 申请日期 2007.12.14
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 尹盈提
分类号 H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 刘继富;蔡胜有
主权项 1.一种图像传感器,包括:半导体衬底;在所述半导体衬底上的第一像素区中的第一光电二极管、第二像素区中的第二光电二极管、和第三像素区中的第三光电二极管;在所述半导体衬底上的绝缘层结构,其中所述绝缘层结构包括在所述第三像素区域上的沟槽;和在所述绝缘层结构上的滤色器结构,所述滤色器结构包括对应于所述第一像素区的第一滤色器,对应于所述第二像素区的第二滤色器,和对应于所述第三像素区域的第三滤色器;其中在所述沟槽上提供所述第三滤色器。
地址 韩国首尔