| 发明名称 | 具有改进的尖端轮廓的晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 实施例是改进的晶体管结构及该结构的制造方法。具体地，实施例的湿法蚀刻形成具有改进的尖端形状的源和漏区，以通过改进短沟道效应的控制、增加饱和电流、改进冶金栅长度的控制、增加载流子迁移率并减小源和漏及硅化物之间的界面处的接触电阻来改进晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101208786A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200680023335.9 | 申请日期 | 2006.06.29 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M·T·博赫;S·J·凯廷;T·A·雷特森;A·S·莫西;D·W·奥尼尔;W·瑞驰梅迪 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L29/04(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈斌 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在衬底上形成绝缘体；在所述绝缘体上形成栅；在所述栅的侧面上形成多个侧壁隔片；以及利用湿法蚀刻在所述衬底中蚀刻源区和漏区，所述湿法蚀刻对所述衬底中的晶面具有充分的选择性。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||