| 发明名称 | 非易失性存储器的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器的制作方法，此方法是先提供衬底，此衬底具有源极线区域。接着，于衬底上依序形成隧穿介电层、第一导体层、栅极间介电层与第二导体层。然后，移除源极线区域的第二导体层与栅极间介电层，以暴露出第一导体层。继之，于源极线区域的第一导体层与隧穿介电层中形成开口。而后，于衬底上形成第三导体层，且第三导体层填满开口。随后，进行图案化工艺，将第三导体层、第二导体层、栅极间介电层与第一导体层图案化，以形成多个堆迭栅极结构，同时于源极线区域形成源极线。之后，于堆迭栅极结构两侧与源极线下方的衬底中形成掺杂区。 | ||
| 申请公布号 | CN101207089A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610171722.9 | 申请日期 | 2006.12.19 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司;株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 简财源;王子嵩 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器的制作方法，包括：提供衬底，具有源极线区域；于该衬底上依序形成隧穿介电层、第一导体层、栅极间介电层与第二导体层；移除该源极线区域的该第二导体层与该栅极间介电层，以暴露出该第一导体层；于该源极线区域的该第一导体层与该隧穿介电层中形成开口；于该衬底上形成第三导体层，且该第三导体层填满该开口；进行图案化工艺，以图案化该第三导体层、该第二导体层、该栅极间介电层与该第一导体层以形成多个堆迭栅极结构，同时于该源极线区域形成源极线；以及于该些堆迭栅极结构两侧与该源极线下方的该衬底中形成掺杂区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||