| 发明名称 | 一种提高监测晶圆利用率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高监测晶圆利用率的方法，包括以下步骤：A)对离子注入后的监测晶圆进行快速热退火处理；B)设定电阻值范围；C)以现有的测量方法得到监测晶圆的平均电阻值；D)判断上述平均电阻值是否处于电阻值范围内，如果是，则证明快速热退火设备能正常进行退火工作，否则不能正常进行所述工作；E)再重复执行步骤A～D三次，每次步骤B皆设置不同的电阻值范围。该方法用于监测快速热退火设备是否正常工作。 | ||
| 申请公布号 | CN101206996A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610147706.6 | 申请日期 | 2006.12.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 冯长青 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1.一种提高监测晶圆利用率的方法，其特征在于，包括以下步骤：A、对离子注入后的监测晶圆进行快速热退火处理；B、设定电阻值范围；C、以现有的测量方法得到监测晶圆的平均电阻值；D、判断上述平均电阻值是否处于电阻值范围内，如果是，则证明快速热退火设备能正常进行退火工作，否则不能正常进行所述工作；E、再重复执行步骤A～D三次，每次步骤B皆设置不同的电阻值范围。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||