| 发明名称 | 存储器件,特别是具有晶体管的相变随机存取存储器件,以及用于制造存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及存储器件，具体地涉及电阻地开关的存储器件，比如相变随机存取存储器(“PCRAM”)。公开了一种方法，其中非导电材料纳米线形成为用作产生导电材料纳米管的模子。在纳米管的顶部上沉积开关活性材料块，因此纳米管的环形前端面耦合于开关活性材料，并因此形成底部电极接触部。 | ||
| 申请公布号 | CN101207149A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200710187754.2 | 申请日期 | 2007.11.23 |
| 申请人 | 奇梦达股份公司 | 发明人 | 哈拉尔德·塞德尔 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01);H01L45/00(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
| 主权项 | 1.一种包括存储单元阵列的集成电路，其中，每个所述存储单元包括开关活性材料块，所述开关活性材料块由围绕非导电纳米线形成的环形接触部所接触。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||