| 发明名称 | 低温烧成瓷器及其电子部件 | ||
| 摘要 | 本发明的低温烧成瓷器，用强力X射线衍射装置测定时作为主结晶相含有硅钡石相、钡长石相及β-方晶石相，α-方晶石相的(101)面的最大强度与硅钡石相的(101)面的最大强度的比率在5％以下。这种瓷器可在析出方晶石相的硅酸铝-氧化钡系的低温烧成瓷器中降低瓷器内的裂纹发生率。 | ||
| 申请公布号 | CN100396644C | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN02802795.7 | 申请日期 | 2002.06.25 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社 | 发明人 | 大渕武志 |
| 分类号 | C04B35/195(2006.01);H01B3/12(2006.01);H01G4/12(2006.01) | 主分类号 | C04B35/195(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张天安;杨松龄 |
| 主权项 | 1.一种低温烧成瓷器，其特征在于：用强力X射线衍射装置测定时作为结晶相含有硅钡石相、钡长石相及β-方晶石相，α-方晶石相的(101)面的最大强度与所述硅钡石相的(101)面的最大强度的比率在5％以下，所述的低温烧成瓷器含有：将钡成分换算成BaO为10～64重量％，将硅成分换算成SiO2为20～80重量％，将铝成分换算成Al2O3为0.1～20重量％，将硼成分换算成B2O3为0.3～1.0重量％，将锌成分换算成ZnO为0.5～20重量％，将铋成分换算成Bi2O3为20重量％以下。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||