| 发明名称 | 硅片的制造方法 | ||
| 摘要 | 在氧化性气氛中对活性层侧硅片实施热处理形成埋入氧化膜。通过该埋入氧化膜贴合在支撑侧晶片上制造SOI晶片。上述氧化热处理在将温度记为T(℃)、将活性层侧硅片的晶格间氧浓度记为[Oi](原子/cm<SUP>3</SUP>)时，满足下式：[0i]≤2.123×10<SUP>21</SUP>exp(-1.035/k(T+273))。 | ||
| 申请公布号 | CN100397595C | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200380100526.7 | 申请日期 | 2003.12.19 |
| 申请人 | 三菱住友硅晶株式会社 | 发明人 | 梅野繁;宝来正隆;佐野正和;三木新一郎 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/324(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曹雯;庞立志 |
| 主权项 | 1.一种硅片的制造方法，该方法是在氧化性气氛中热处理从硅单晶切片的硅片的制造硅片的方法，在该制造方法中，将在氧化性气氛中热处理的温度记为T，单位是℃，将硅片的晶格间氧浓度记为[Oi]，单位是原子/cm3，温度T和晶格间氧浓度[Oi]的组合满足下式，[Oi]≤2.123×1021exp(-1.035/k(T+273))其中，晶格间氧浓度[Oi]是用FT-IR法测定的值，基于ASTMF-121，1979年，k是玻耳兹曼常数8.617×10-5，单位是eV/K。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||