| 发明名称 | 浮置栅极的制造方法及存储器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种浮置栅极的制造方法。此方法包括提供已形成有多数个沟槽隔离结构的基底，且在这些沟槽隔离结构之间的基底上依序形成有第一硅半导体层与掩模层。移除部分沟槽隔离结构，使沟槽隔离结构的表面低于掩模层表面。随后，于掩模层的侧壁形成多数个间隙壁，其中间隙壁的材质与掩模层的材质具有不同的蚀刻选择性。移除掩模层以暴露出第一硅半导体层。进行选择性硅生长工艺，于第一硅半导体层上形成填满间隙壁之间的间隙的第二硅半导体层。移除间隙壁后，图案化第二硅半导体层与第一硅半导体层以形成多数个浮置栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN101207029A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610171224.4 | 申请日期 | 2006.12.21 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 何青原;萧国坤 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种浮置栅极的制造方法，包括：提供基底，该基底中已形成有多数个沟槽隔离结构，且在该些沟槽隔离结构之间的该基底上依序包括第一硅半导体层与掩模层；移除该些隔离结构的一部分，使该些隔离结构的表面低于该掩模层表面；于该掩模层的侧壁形成多数个间隙壁，其中该些间隙壁的材质与该掩模层的材质具有不同的蚀刻选择性；移除该掩模层以暴露出该第一硅半导体层；进行一选择性硅生长工艺，于该第一硅半导体层上形成第二硅半导体层，该第二硅半导体层填满该些间隙壁之间的间隙；移除该些间隙壁；以及图案化该第二硅半导体层与该第一硅半导体层以形成多数个浮置栅极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||