| 发明名称 | 图像传感器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种图像传感器，其包含衬底、包含多个像素的像素矩阵定义于该衬底上、光导层以及遮蔽电极依序设于各像素的像素电极、以及遮蔽电极位于任二相邻像素的像素电极之间，且遮蔽电极系列成网状物而设于个像素电极外围。 | ||
| 申请公布号 | CN101207141A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610171714.4 | 申请日期 | 2006.12.19 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 三井田高 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种图像传感器，其包含：半导体衬底；像素矩阵，其包含有多个像素定义于该半导体衬底上，且各该像素包含有像素电极；光导层以及透明导电层依序设于该像素电极上；以及遮蔽电极设于任二相邻的该等像素电极之间，其中该遮蔽电极如同网状围绕各该像素电极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||