| 发明名称 | 排气装置及包含该排气装置的反应腔室 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种排气装置及包含该排气装置的反应腔室，排气装置一侧的排气孔的总导通面积大于另一侧的排气孔的总导通面积，由于排气装置两侧排气面积不同即气流的流导不同，可以通过减少靠近抽气腔室侧的排气装置的导通面积，提高反应腔室内的气体流动的均匀性，从而提高硅片刻蚀的均与性。主要适用于半导体硅片等离子刻蚀设备的反应腔室，也适用于其它类似的腔室。 | ||
| 申请公布号 | CN101207001A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610169563.9 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 赵梦欣 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/67(2006.01);C23F4/00(2006.01);H01J37/32(2006.01);H05H1/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵镇勇 |
| 主权项 | 1.一种排气装置，为平面环状结构，其上开有多个上下相通的排气孔，其特征在于，所述的排气装置一侧的多个排气孔的总导通面积大于排气装置另一侧的多个排气孔的总导通面积。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 | ||