| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可在短时间内处理工件被处理面的简单结构的等离子体处理装置。该等离子体处理装置(1)包括：具有从上端贯通到下端的中空部(40)的第一电极(2)、用于设置工件(10)的工件设置部(100)、隔着工件设置部(100)与第一电极(2)的下端相对地配置的第二电极(3)、在中空部(40)的下端侧的开口部(422)的外周侧沿圆周方向形成的处理气体喷出部(5)、具有在第一电极(2)与第二电极(3)之间施加电压的电源(72)的电源电路(7)、向处理气体喷出部(5)供给用于生成等离子体的处理气体的气体供给装置(8)，其构成为，通过在第一电极(2)与第二电极(3)之间施加电压来活化从处理气体喷出部(5)喷出并存在于开口部(422)附近的处理气体，从而生成等离子体，并利用该等离子体对工件(10)的被处理面(101)进行等离子体处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101207966A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200710302149.5 | 申请日期 | 2007.12.14 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 五味一博 |
| 分类号 | H05H1/46(2006.01);C23C16/50(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H05H1/46(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;尚志峰 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：第一电极，具有从上端到下端贯通的中空部；工件设置部，用于设置工件；第二电极，隔着所述工件设置部与所述第一电极的下端相对配置；处理气体喷出部，在所述中空部的下端侧开口的外周侧上沿着圆周方向形成；电源电路，具有在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压的电源；以及气体供给装置，向所述处理气体喷出部供给用于生成等离子体的处理气体，所述等离子体处理装置的构成为，通过在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压来活化从所述处理气体喷出部喷出、且存在于所述下端侧开口附近的所述处理气体，从而生成等离子体，并利用所述等离子体对所述工件的被处理面进行等离子体处理。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||