| 发明名称 | 金属－绝缘层－金属电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一个实施例公开了一种金属－绝缘层－金属电容器及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底，其表面形成有第一绝缘层；于第一绝缘层上形成堆叠绝缘结构，其由多个第二绝缘层和多个第三绝缘层交错形成；形成开口于堆叠绝缘结构中以暴露出第一绝缘层的一部分；执行湿蚀刻工艺以大量去除这些第二绝缘层，及小量去除这些第三绝缘层，由此在这些第二绝缘层中沿着开口侧壁形成多个横向凹槽；形成底部电极层，其沿着开口及横向凹槽的侧壁和底部延伸；形成电容绝缘层于底部电极层上；及形成顶部电极层于电容绝缘层上。本发明的优点包括可改善材料层的品质以及减少工艺时间。 | ||
| 申请公布号 | CN101207019A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200710110383.8 | 申请日期 | 2007.06.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 涂国基 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L27/108(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种金属-绝缘层-金属电容器的制造方法，包括：提供半导体衬底，其表面形成有第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成堆叠绝缘结构，其由多个第二绝缘层和多个第三绝缘层交错形成；在所述堆叠绝缘结构中形成开口以暴露出所述第一绝缘层的一部分；执行湿蚀刻工艺以大量去除所述多个第二绝缘层，及小量去除所述多个第三绝缘层，由此在所述多个第二绝缘层中沿着所述开口侧壁形成多个横向凹槽；形成底部电极层，其沿着所述开口及横向凹槽的侧壁和底部延伸；在所述底部电极层上形成电容绝缘层；及在所述电容绝缘层上形成顶部电极层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||