| 发明名称 | Si:C－OI和SGOI上的硅器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体结构和制造方法。此制造方法包括在衬底中形成浅沟槽隔离(STI)(25)以及在衬底上提供第一材料(30)和第二材料(40)。用热退火工艺，将第一材料(30)和第二材料(40)混合到衬底中，以便分别在nFET区和pFET区处形成第一岛(50)和第二岛(55)。不同的材料层被形成在第一岛(50)和第二岛(55)上。STI弛豫并有利于第一岛(50)和第二岛(55)的弛豫。第一材料(30)可以是淀积的或生长的Ge材料，而第二材料(40)可以是淀积的或生长的Si:C或C。应变Si层被形成在第一岛(50)和第二岛(55)至少之一上。 | ||
| 申请公布号 | CN101208794A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200480034036.6 | 申请日期 | 2004.06.30 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 杜里赛迪·齐达姆巴劳;奥莫·H.·多库玛斯;奥赖格·G.·格鲁斯臣科夫 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制造结构的方法，包括下列步骤：在衬底中形成浅沟槽隔离(STI)(25)；在衬底上提供第一材料(30)；在衬底上提供第二材料(40)；通过热退火工艺，将第一材料(30)和第二材料(40)混合到衬底中，以便分别在nFET区和pFET区处形成第一岛(50)和第二岛(55)；以及在第一岛(50)和第二岛(55)上形成晶格常数不同于第一岛(50)和第二岛(55)的材料层，其中，STI(25)弛豫并有利于第一岛(50)和第二岛(55)的弛豫。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||