| 发明名称 | 具有磁场衰减层的磁控电阻存储器件 | ||
| 摘要 | 这里公开一种电磁器件，例如是磁性存储器件(100)，其括用来限制、衰减或消除在边界处杂散磁场的装置，该杂散磁场会产生磁控电阻响应的偏移。所述器件包括第一导电层(108，112)和包括电-磁耦合到第一层的一衰减层(104)的衰减装置，以衰减电路操作过程中第一层(108，112)边界处的杂散边界磁阻偏移。 | ||
| 申请公布号 | CN100397674C | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN03120147.4 | 申请日期 | 2003.03.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | M·沙马;T·C·安东尼;M·巴塔查里亚 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01);G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种制于一器件层叠体中的电子器件，包括：器件层叠体内的第一层，该层是磁性的并且在该器件层叠体边界处产生磁场；该器件层叠体内设置在该第一层的表面上的第二层；及设置在该第一层的相反表面之上的衰减层，用来衰减从该第一层发出进入该第二层的边沿边界的磁场的流入。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||