| 主权项 |
1.一种形成多晶矽薄膜之方法,包括以下步骤: (a)提供一形成多晶矽薄膜系统,该系统包括: 一雷射产生器,产生一雷射光束;以及 一光学装置,设置于该雷射光束之行进路径上,用 以造成透过该光学装置之雷射光束边缘区域具有 一周期性能量分布; (b)提供一基板于该光学装置后方之该雷射光束之 该行进路径上,该基板上形成有一非晶矽薄膜; (c)以该雷射光束透过该光学装置对该基板进行一 第一次雷射照射,使该非晶矽薄膜之被照射区域熔 化;以及 (d)移除该雷射光束,使该基板上之熔化区域固化形 成多晶矽区域。 2.如申请专利范围第1项所述之形成多晶矽薄膜之 方法,其中该光学装置系为一光罩以及一微狭缝阵 列之一者。 3.如申请专利范围第1项所述之形成多晶矽薄膜之 方法,其中该光学装置包括复数个长度为L之第一 透光区域,每一该复数个第一透光区域的至少一边 缘区域具有一第一周期性形状。 4.如申请专利范围第3项所述之形成多晶矽薄膜之 方法,其中该第一周期性形状系为一全波形状、一 锯齿形状、一Z字形状以及一半波形状之一者。 5.如申请专利范围第1项所述之形成多晶矽薄膜之 方法,其中该形成多晶矽薄膜系统更包括一投影透 镜系统,该投影透镜系统之倍率为N而且系设置于 该光学装置与该基板之间之该雷射光束之该行进 路径上。 6.如申请专利范围第3项所述之形成多晶矽薄膜之 方法,更包括以下步骤: (e)移动该基板一距离,该距离不大于该长度L; (f)以该雷射光束透过该光学装置对该基板进行一 第二次雷射照射,使该非晶矽薄膜之被照射区域与 固化之该多晶矽区域再熔化;以及 (g)移除该雷射光束,使该基板上之再熔化区域固化 形成多晶矽区域。 7.如申请专利范围第6项所述之形成多晶矽薄膜之 方法,其中该光学装置系为一光罩以及一微狭缝阵 列之一者。 8.如申请专利范围第6项所述之形成多晶矽薄膜之 方法,其中该光学装置包括: 复数个长度为L之第一透光区域,每一该复数个第 一透光区域的至少一边缘区域具有一第一周期性 形状;以及 复数个长度为L之第二透光区域,每一该复数个第 二透光区域的至少一边缘区域具有一第二周期性 形状,使得该复数个第一透光区域与该复数个第二 透光区域形成阶梯状排列。 9.如申请专利范围第8项所述之形成多晶矽薄膜之 方法,其中该第一周期性形状与该第二周期性形状 分别系为一全波形状、一锯齿形状、一Z字形状以 及一半波形状之一者。 10.如申请专利范围第6项所述之形成多晶矽薄膜之 方法,其中该形成多晶矽薄膜系统更包括一投影透 镜系统,该投影透镜系统之倍率为N而且系设置于 该光学装置与该基板之间之该雷射光束之该行进 路径上。 11.如申请专利范围第6项所述之形成多晶矽薄膜之 方法,该方法于步骤(d)与步骤(e)之间更包括以下步 骤: (d1)移动该基板一距离,该距离不大于该长度L; (d2)以该雷射光束透过该光学装置对该基板进行一 延伸雷射照射,使该非晶矽薄膜之被照射区域与固 化之该多晶矽区域再熔化;以及 (d3)移除该雷射光束,使该基板上之再熔化区域固 化形成多晶矽区域。 12.如申请专利范围第11项所述之形成多晶矽薄膜 之方法,其中该光学装置系为一光罩以及一微狭缝 阵列之一者。 13.如申请专利范围第11项所述之形成多晶矽薄膜 之方法,其中该光学装置包括: 复数个长度为L之第一透光区域,每一该复数个第 一透光区域的至少一边缘区域具有一第一周期性 形状: 复数个长度为L之第二透光区域,每一该复数个第 二透光区域的至少一边缘区域具有一第二周期性 形状;以及 至少一组复数个长度为L之延伸透光区域,每一该 至少一组复数个延伸透光区域的至少一边缘区域 具有一第三周期性形状; 其中该至少一组复数个延伸透光区域系设置于该 复数个第一透光区域与该复数个第二透光区域之 间,使得该复数个第一透光区域、该至少一组复数 个延伸透光区域与该复数个第二透光区域形成阶 梯状排列。 14.如申请专利范围第13项所述之形成多晶矽薄膜 之方法,其中该第一周期性形状、该第二周期性形 状与该第三周期性形状分别系为一全波形状、一 锯齿形状、一Z字形状以及一半波形状之一者。 15.如申请专利范围第11项所述之形成多晶矽薄膜 之方法,其中该形成多晶矽薄膜系统更包括一投影 透镜系统,该投影透镜系统之倍率为N而且系设置 于该光学装置与该基板之间之该雷射光束之该行 进路径上。 16.一种形成多晶矽薄膜之光学装置,包括: 复数个长度为L之第一透光区域; 其中,每一该复数个第一透光区域的至少一边缘区 域具有一第一周期性形状。 17.如申请专利范围第16项所述之形成多晶矽薄膜 之光学装置,其中该光学装置系为一光罩以及一微 狭缝阵列之一者。 18.如申请专利范围第16项所述之形成多晶矽薄膜 之光学装置,其中该第一周期性形状系为一全波形 状、一锯齿形状、一Z字形状以及一半波形状之一 者。 19.如申请专利范围第16项所述之形成多晶矽薄膜 之光学装置,更包括至少复数个长度为L之第二透 光区域,每一该复数个第二透光区域的至少一边缘 区域具有一第二周期性形状,使得该复数个第一透 光区域与该复数个第二透光区域形成阶梯状排列 。 20.如申请专利范围第19项所述之形成多晶矽薄膜 之光学装置,其中该光学装置系为一光罩以及一微 狭缝阵列之一者。 21.如申请专利范围第19项所述之形成多晶矽薄膜 之光学装置,其中该第一周期性形状与该第二周期 性形状系分别为一全波形状、一锯齿形状、一Z字 形状以及一半波形状之一者。 22.如申请专利范围第19项所述之形成多晶矽薄膜 之光学装置,更包括至少一组复数个长度为L之延 伸透光区域,每该至少一组复数个延伸透光区域的 至少一边缘区域具有一第三周期性形状,每该至少 一组复数个延伸透光区域系设置于该复数个第一 透光区域与该复数个第二透光区域之间,使得该复 数个第一透光区域、该至少一组复数个延伸透光 区域与该复数个第二透光区域形成阶梯状排列。 23.如申请专利范围第22项所述之形成多晶矽薄膜 之光学装置,其中该光学装置系为一光罩以及一微 狭缝阵列之一者。 24.如申请专利范围第22项所述之形成多晶矽薄膜 之光学装置,其中该第一周期性形状、该第二周期 性形状与该第三周期性形状分别系为一全波形状 、一锯齿形状、一Z字形状以及一半波形状之一者 。 图式简单说明: 图一A为习知采用连续侧向固化(SLS)之形成多晶矽 薄膜系统示意图; 图一B为图一A之形成多晶矽薄膜系统所形成之多 晶矽薄膜上视图; 图二A为美国专利第6,908,835号所采用之光学装置上 视图; 图二B为图二A之光学装置透光区域详细尺寸图; 图二C为根据美国专利第6,908,835号之方法所揭之两 次雷射照射之连续侧向固化所形成之多晶矽结构 图; 图三A至图三F为美国专利第6,322,625号所揭露之形 成多晶矽薄膜之方法的流程图; 图四A与图四B为本发明第一具体实施例之形成多 晶矽薄膜方法所采用之光学装置上视图; 图四C为图四A与图四B之光学装置透光区域边缘之 周期性形状以及通过该周期性形状的雷射光束能 量分布示意图; 图五A至图五D系为光学装置透光区域边缘之周期 性形状的各种实施范例; 图六为本发明第一具体实施例之形成多晶矽薄膜 方法的流程图; 图七A与图七B为本发明第二具体实施例之形成多 晶矽薄膜方法所采用之光学装置上视图; 图八为本发明第二具体实施例之形成多晶矽薄膜 方法的流程图; 图九A与图九B为本发明第三具体实施例之形成多 晶矽薄膜方法所采用之光学装置上视图;以及 图十为本发明第三具体实施例之形成多晶矽薄膜 方法的流程图。 |
