| 摘要 |
一种稳定光罩上之光罩膜的方法,此稳定光罩膜之方法适用于稳定光罩上之光罩膜。此稳定光罩膜之方法包括在百万赫级超音波清洗制程前,将多层光罩膜暴露于真空紫外线放射线下。此方法增加光罩膜的含氧量,而产生富含氧之膜表层,而此富含氧之膜表层可于清洗的过程中保护光罩膜,使光罩膜不至于剥落。再者,此方法增加百万赫级清洗槽内之光罩膜的表面可湿性,进而增进清洗的效率。 |
| 主权项 |
1.一种稳定光罩上之光罩膜的方法,至少包括: 提供一光罩,该光罩具有一光罩膜;以及 利用对该光罩膜照射一紫外线放射线,来增加该光 罩膜之一含氧量,其中该紫外线放射线之一波长介 于实质170nm至实质200nm之间。 2.如申请专利范围第1项所述之稳定光罩上之光罩 膜的方法,其中该光罩膜至少包括钼。 3.如申请专利范围第1项所述之稳定光罩上之光罩 膜的方法,其中该波长实质为172nm。 4.如申请专利范围第3项所述之稳定光罩上之光罩 膜的方法,其中该光罩膜至少包括钼。 5.如申请专利范围第1项所述之稳定光罩上之光罩 膜的方法,更至少包括对该光罩进行一百万赫级清 洗制程。 6.如申请专利范围第5项所述之稳定光罩上之光罩 膜的方法,其中该光罩膜至少包括钼。 7.如申请专利范围第5项所述之稳定光罩上之光罩 膜的方法,其中该波长实质为172nm。 8.如申请专利范围第7项所述之稳定光罩上之光罩 膜的方法,其中该光罩膜至少包括钼。 9.如申请专利范围第1项所述之稳定光罩上之光罩 膜的方法,其中该紫外线放射线至少包括真空紫外 线放射线。 10.一种稳定光罩上之光罩膜的方法,至少包括: 提供一光罩,该光罩具有一光罩膜;以及 利用对该光罩膜照射一紫外线放射线,来增加该光 罩膜之一含氧量,其中该紫外线放射线之一波长介 于实质170nm至实质200nm,持续一曝光时间至少实质 为1小时。 11.如申请专利范围第10项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,其中该光罩膜至少包括钼。 12.如申请专利范围第10项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,更至少包括对该光罩进行一百万赫级 清洗制程。 13.如申请专利范围第12项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,其中该光罩膜至少包括钼。 14.如申请专利范围第10项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,其中该波长实质为172nm。 15.如申请专利范围第14项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,其中该光罩膜至少包括钼。 16.如申请专利范围第14项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,更至少包括对该光罩进行一百万赫级 清洗制程。 17.如申请专利范围第16项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,其中该光罩膜至少包括钼。 18.如申请专利范围第10项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,其中该紫外线放射线至少包括真空紫 外线放射线。 19.一种稳定光罩上之光罩膜的方法,至少包括: 提供一光罩,该光罩具有一光罩膜;以及 利用对该光罩膜照射一紫外线放射线,来增加该光 罩膜之一含氧量,其中该紫外线放射线之一波长介 于实质170nm至实质200nm之间,且持续一曝光时间实 质为4小时。 20.如申请专利范围第19项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,其中该波长实质为172nm。 21.如申请专利范围第20项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,更至少包括对该光罩进行一百万赫级 清洗制程。 22.如申请专利范围第21项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,其中该光罩膜至少包括钼。 23.如申请专利范围第19项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,其中该紫外线放射线至少包括真空紫 外线放射线。 24.一种稳定光罩上之光罩膜的方法,至少包括: 提供一相位移光罩,该相位移光罩具有一相位移光 罩膜;以及 对该相位移光罩膜照射一紫外线放射线,以增加该 相位移光罩膜之一含氧量。 25.如申请专利范围第24项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,其中该相位移光罩膜至少包括钼。 26.如申请专利范围第24项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,其中该相位移光罩膜为一矽化钼光罩 膜。 27.如申请专利范围第24项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,其中该紫外线放射线之一波长介于实 质170nm至实质200nm之间。 28.如申请专利范围第24项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,更至少包括对该相位移光罩进行一百 万赫级清洗制程。 29.如申请专利范围第24项所述之稳定光罩上之光 罩膜的方法,其中该紫外线放射线至少包括真空紫 外线放射线。 图式简单说明: 第1图系绘示一种典型传统之相位移光罩的剖面图 。 第2图系绘示依照本发明之一种方法的连续制程步 骤之摘要的流程图。 |
