| 主权项 |
1.一种具有薄膜披覆之基板,其至少包含: 一基板,具有一第一表面及一第二表面; 一披覆薄膜,披覆于该基板之第一表面,其用于填 补该基板之表面粗糙度; 其中,该披覆薄膜之厚度为微米至奈米等级。 2.如申请专利范围第1项所述之具有薄膜披覆之基 板,其中该基板系选自悬浮基板、矽基板、砷化镓 基板、陶瓷基板、玻璃基板、玻璃纤维基板、碳 氢化合物陶瓷基板、铁弗龙基板、铁弗龙玻璃纤 维基板及铁弗龙陶瓷基板之一。 3.如申请专利范围第1项所述之具有薄膜披覆之基 板,其中该披覆薄膜系选自二氧化矽薄膜、氮矽化 合物薄膜、氮化铝薄膜及氮氧化矽薄膜之一。 4.如申请专利范围第3项所述之具有薄膜披覆之基 板,其中该披覆薄膜系以物理气相沉积系统及化学 气相沉积系统所制备。 5.如申请专利范围第1项所述之具有薄膜披覆之基 板,其中该披覆薄膜上可制作传输线结构、滤波器 结构及天线结构之一。 6.如申请专利范围第5项所述之具有薄膜披覆之基 板,其中该传输线结构可系为一共平面波导结构, 其系由接地面-信号线-接地面所形成。 7.如申请专利范围第6项所述之具有薄膜披覆之基 板,其中该共平面波导结构之该基板第二表面不具 有金属。 8.如申请专利范围第5项所述之具有薄膜披覆之基 板,其中该传输线结构可系为一微带线结构,其系 由信号线与接地面所形成。 9.如申请专利范围第8项所述之具有薄膜披覆之基 板,其中该微带线结构之该基板第二表面具有金属 。 10.如申请专利范围第1项所述之具有薄膜披覆之基 板,其中该具有薄膜披覆之基板可操作频率大小为 1GHz到50GHz之范围。 11.如申请专利范围第1项所述之具有薄膜披覆之基 板,其中该披覆薄膜之最佳厚度系选自1微米及0.1 微米之一。 图式简单说明: 第1图显示为本创作之第一实施例之具有披覆薄膜 基板之共平面波导结构示意图; 第2图显示为本创作之具有披覆氮化铝薄膜之共平 面波导结构于(a)氧化铝基板(b)砷化镓基板(c)矽基 板之频率响应图; 第3图显示为本创作之具有披覆氮氧化矽薄膜之共 平面波导结构于(a)氧化铝基板(b)砷化镓基板(c)矽 基板之频率响应图; 第4图显示为本创作之具有披覆二氧化矽薄膜之共 平面波导结构于(a)氧化铝基板(b)砷化镓基板(c)矽 基板之频率响应图; 第5图为根据本创作之第二实施例之具有披覆二氧 化矽薄膜于氧化铝基板之双模态带通滤波器(a)结 构(b)频率响应图; 第6图为根据本创作之第三实施例之具有披覆氮氧 化矽薄膜于砷化镓基板之共平面波导结构带通滤 波器(a)结构(b)频率响应图;及 第7图为根据本创作之第四实施例之具有披覆氮化 铝薄膜于矽基板之微带线型窄频天线结构(a)结构( b)频率响应图。 |
