| 主权项 |
1.一种高亮度发光二极体元件,该高亮度之发光二 极体元件包含: 一基板,该基板位于该发光二极体元件的底端; 一半导体层,该半导体层系接于该基板上部,具有 一N型半导体层、发光区及一P型半导体层,其中,该 发光区介于该N型半导体层与该P型半导体层之间; 一不透光或透光率甚低之排列状传导层,该不透光 或透光率甚低之排列状传导层位于该P型半导体层 上端;以及 一高透光率导电层,该高透光率导电层覆盖于该不 透光或透光率甚低之排列状传导层上部可提高该 发光二极体元件的亮度。 2.如申请专利范围第1项所述之高亮度发光二极体 元件,其中该基板可为蓝宝石基板。 3.如申请专利范围第1项所述之高亮度发光二极体 元件,其中该N型半导体层可为N-GaN层。 4.如申请专利范围第1项所述之高亮度发光二极体 元件,其中该P型半导体层可为P-GaN层。 5.如申请专利范围第1项所述之高亮度发光二极体 元件,其中该发光区可为InGaN/GaN多重量子井结构。 6.如申请专利范围第1项所述之高亮度发光二极体 元件,其中该高透光率导电层可由金属氧化层所组 成。 7.如申请专利范围第1项所述之高亮度发光二极体 元件,其中该不透光或透光率甚低之排列状传导层 可由镍、金、铬、铟、铂、银、鐪或铍等至少一 种金属化合物所组成。 8.如申请专利范围第1项所述之高亮度发光二极体 元件,其中该高透光率导电层可为铟铅氧化物、铟 氧化物、铟锡氧化物、锡氧化物、锑锡氧化物、 锑氧化物、锑锌氧化物、镉锡氧化物或镉氧化物 等至少一种金属氧化合物所组成。 9.一种高亮度发光二极体元件之制造方法,系由一 半导体导层上部形成一不透光或透光率甚低之排 列状传导层,更进一步形成一高透光率导电层,该 高透光率导电层可覆盖于该不透光或透光率甚低 之排列状传导层上部藉以提高该发光二极体元件 的亮度,其中,该高亮度发光二极体元件制造方法: 该不透光或透光率甚低之排列状传导层之制造面 积小于该高亮度发光二极体元件面积除以该高透 光率导电层的透光率乘以(该高透光率导电层的透 光率减该全面透明传导层的透光率)。 10.一种高亮度发光二极体元件,该高亮度之发光二 极体元件包含: 一基板,该基板位于该发光二极体元件的底端; 一半导体层,该半导体层系接于该基板上端,且具 有一N型半导体层、发光区及一P型半导体层,其中, 该发光区介于该N型半导体层与该P型半导体层之 间; 一排列状反射层,该排列状反射层位于该P型半导 体层上端; 一不透光或透光率甚低之排列状传导层,位于该排 列状反射层上方;以及 一高透光率导电层,该高透光率导电层覆盖于该不 透光或透光率甚低之排列状传导层上部;其中,该 不透光或透光率甚低之排列状传导层可与该排列 状反射层形成相同形状之叠合,且该排列状反射层 可将被不透光或透光率甚低之排列状传导层吸收 的光反射,藉以提高该高亮度发光二极体元件的亮 度。 图式简单说明: 第一a图系为习知技术之发光二极体元件简单示意 图; 第一b图系为习知技术之发光二极体元件之上视图 ; 第二a图系为本发明技术之高亮度发光二极体元件 简单示意图; 第二b图系为本发明实施例之高亮度发光二极体元 件之上视图; 第三a图系为本发明实施例之高亮度发光二极体元 件之不透光或透光率甚低之排列状金属结构图一; 第三b图系为本发明实施例之高亮度发光二极体元 件之不透光或透光率甚低之排列状金属结构图二; 第三c图系为本发明实施例之高亮度发光二极体元 件之不透光或透光率甚低之排列状金属结构图三; 第四图系为本发明技术之高亮度发光二极体元件 之全面透明传导层与高透光率导电层之透光率比 与不透光或透光率甚低之排列状金属结构面积对 应关系图; 第五图系为本发明技术之高亮度发光二极体元件 另一实施例之简单示意图; |
