| 主权项 |
1.一种用于制造一半导体装置之方法,其包含: 藉由执行一离子植入制程将杂质植于一基板上; 使该基板之部分凹陷以形成复数个沟槽; 执行一第一热制程以藉由使该等杂质扩散而在该 基板中之该等沟槽间形成接合区,且同时在该基板 上及在该等接合区上形成一闸极氧化层; 在该闸极氧化层上形成一多晶矽层; 依序蚀刻该多晶矽层及该闸极氧化层以形成一闸 极结构,及在该等接合区之侧壁上形成第一间隔片 ; 在该等第一间隔片及该闸极结构之侧壁上形成第 二间隔片;及 在该等接合区及该闸极结构之顶部上形成一金属 矽化物层。 2.如请求项1之方法,其中形成该等接合区以较在该 等沟槽底部处所形成之通道区突出更高。 3.如请求项1之方法,其进一步包含在植入该等杂质 之前在该基板上形成一牺牲绝缘层。 4.如请求项3之方法,其中该牺牲绝缘层包括对该基 板具有高蚀刻选择率之一材料。 5.如请求项4之方法,其中该牺牲绝缘层包括使用选 自由SiO2、Si3N4、SiNH及其一组合组成之群之一者。 6.如请求项3之方法,其进一步包含在形成该等沟槽 之后移除该牺牲绝缘层。 7.如请求项6之方法,其中形成该等沟槽较该等所植 入之杂质之深度更深。 8.如请求项6之方法,其中由于以下原因形成该等第 一间隔片:由于在该闸极结构之该形成期间该等接 合区与该基板间之某一高度差而引起该闸极氧化 层保持于该等接合区之该等侧壁上。 9.如请求项6之方法,其中该等第二间隔片之该形成 包括: 在该基板、该等第一间隔片及该闸极结构上形成 一绝缘层;及 执行一回蚀制程。 10.如请求项6之方法,其中使用一氧化制程、一退 火制程及热扩散制程与氧化制程之一组合制程中 之一者来执行该第一热制程。 11.如请求项6之方法,其中该金属矽化物层之该形 成包括: 在该基板及该等第二间隔片上形成一金属层;及 执行一第二热制程以使该金属层与该闸极结构及 该等接合区反应。 12.一种用于制造一半导体装置之方法,其包含: 制备一基板,其经界定为其上将形成一单元电晶体 之一第一区及其上将形成一逻辑电晶体之一第二 区; 藉由执行一第一离子植入制程将杂质植于该第一 区中之该基板上; 使该第一区中之该基板之部分凹陷以形成复数个 沟槽; 执行一热制程以在该等复数个沟槽间形成位元线, 并在该等位元线及该基板上形成一闸极氧化层; 在该闸极氧化层上形成一多晶矽层; 依序蚀刻该多晶矽层及该闸极氧化层以形成横穿 该第一区中之该等位元线之字线,在该第二区中形 成一闸极结构并在该等位元线之两侧壁上形成第 一间隔片; 在该等第一间隔片及该闸极结构之该等侧壁上形 成第二间隔片; 藉由执行一第二离子植入制程在该闸极结构之两 侧上之该基板表面的所暴露部分上形成源极/汲极 区;及 在该等字线、该等位元线、该闸极结构及该等源 极/汲极区上形成一金属矽化物层。 13.如请求项12之方法,其中形成该等位元线以较在 该等沟槽底部处所形成之通道区更高。 14.如请求项13之方法,其进一步包含在植入该等杂 质之前在该基板上形成一牺牲绝缘层。 15.如请求项14之方法,其中该牺牲绝缘层包括对该 基板具有高蚀刻选择率之一材料。 16.如请求项15之方法,其中该牺牲绝缘层包括选自 由SiO2、Si3N4、SiNH及其一组合组成之群中之一者。 17.如请求项14之方法,其进一步包含在形成该等沟 槽之后移除该牺牲绝缘层。 18.如请求项17之方法,其中形成该等沟槽较该等所 植入之杂质之深度更深。 19.如请求项17之方法,其中由于以下原因形成该等 第一间隔片:由于在该闸极结构之该形成期间该等 位元线与该基板间之某一高度差而引起该闸极氧 化层保持于该等位元线之该等侧壁上。 图式简单说明: 图1为说明习知半导体装置之俯视图; 图2A及2C为说明图1中沿打孔线A至A'及B至B'截取之 习知半导体装置之横截面图; 图3A至3D为说明图1中沿打孔线A至A'截取之习知半 导体装置之横截面图; 图4A至4D为说明图1中沿打孔线B至B'截取之习知半 导体装置之横截面图; 图5及6为说明图1中沿打孔线A至A'及B至B'截取之习 知半导体装置之横截面图; 图7A至7G为说明图1中沿打孔线A至A'截取之习知半 导体装置之横截面图; 图8为说明图1中沿打孔线B至B'截取之习知半导体 装置之横截面图; 图9为说明根据本发明之一特定实施例之半导体装 置之俯视图; 图10A至10E为说明图9中沿打孔线A至A'及B至B'截取之 半导体装置之横截面图; 图11A至11C为说明图9中沿打孔线A至A'截取之半导体 装置之横截面图;及 图12A至12C为说明图9中沿打孔线B至B'截取之半导体 装置之横截面图。 |
