| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体的制作方法,包括: 于一基板上形成一闸极; 于该基板上形成一闸绝缘层,以覆盖该闸极; 于该闸绝缘层上形成一源极/汲极层,该源极/汲极 层系暴露出该闸极上方之部分该闸绝缘层; 于该源极/汲极层上形成一绝缘层,该绝缘层具有 一开口,以暴露出该闸极上方之部分该闸绝缘层与 部分该源极/汲极层;以及 于该绝缘层之该开口中形成一通道层,使该通道层 与该源极/汲极层电性连接,且该通道层系由该开 口中暴露出来。 2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制作 方法,其中形成该通道层之方法包括利用一荫罩幕 进行一沉积制程。 3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制作 方法,其中形成该通道层之方法包括一喷印制程。 4.一种薄膜电晶体,包括: 一基板; 一闸极,配置于该基板上; 一闸绝缘层,配置于该基板上,且覆盖该闸极; 一源极/汲极层,配置于该闸绝缘层上,且该源极/汲 极层系暴露出该闸极上方之部分该闸绝缘层; 一绝缘层,配置于该源极/汲极层上,且该绝缘层具 有一开口,以暴露出该闸极上方之部分该闸绝缘层 及部分该源极/汲极层;以及 一通道层,配置于该绝缘层之该开口中,其中该通 道层系由该开口中暴露出来,且与该源极/汲极层 电性连接。 5.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体,其中该 基板包括一软质基板或一硬质基板。 6.如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体,其中该 软质基板包括一塑胶基板或是一金属箔片。 7.如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体,其中该 硬质基板包括一玻璃基板、一石英基板或是一矽 基板。 8.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体,其中该 源极/汲极层之材料包括铟锡氧化物或铟锌氧化物 。 9.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体,其中该 绝缘层之材料包括一有机材料、一无机材料或是 一有机无机复合材料。 10.如申请专利范围第9项所述之薄膜电晶体,其中 该有机材料包括一高分子材料。 11.如申请专利范围第9项所述之薄膜电晶体,其中 该无机材料包括氮化矽、氧化矽或是一吸湿剂。 12.如申请专利范围第11项所述之薄膜电晶体,其中 该吸湿剂包括硷土族之氧化物。 13.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体,其中 该通道层之材料包括一有机半导体材料或是一无 机半导体材料。 14.如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体,其中 该有机半导体材料包括五苯。 15.一种有机电激发光显示元件的制作方法,包括: 于一基板上形成一第一闸极与一第二闸极; 于该基板上形成一闸绝缘层,以覆盖该第一闸极与 该第二闸极,且该闸绝缘层具有一接触窗开口,以 暴露出部分该第二闸极; 于该闸绝缘层上形成一第一源极/汲极层、一第二 源极/汲极层与一阳极,其中,部分该第一源极/汲极 层系填入该接触窗开口中,使该第一汲极层与该第 二闸极电性连接,且该第二汲极层与该阳极电性连 接; 于该闸绝缘层上形成一绝缘层,该绝缘层具有一第 一开口、一第二开口以及一第三开口,以分别暴露 出该第一闸极上方之部分该闸绝缘层及部分该第 一源极/汲极层、该第二闸极上方之部分该闸绝缘 层及部分该第二源极/汲极层,以及部分该阳极; 于该绝缘层之该第一开口及该第二开口内分别形 成一第一通道层与一第二通道层,其中,该第一通 道层与该第二通道层分别与该第一源极/汲极层及 该第二源极/汲极层电性连接;以及 于该绝缘层之该第三开口内依序形成一发光层以 及一阴极,其中,该发光层覆盖于部分该阳极上,且 该阴极覆盖于该发光层上。 16.如申请专利范围第15项所述之有机电激发光显 示元件的制作方法,其中形成该绝缘层的步骤包括 : 于该闸绝缘层上全面性地形成一绝缘层;以及 图案化该绝缘层,以形成该第一开口、该第二开口 以及该第三开口。 17.如申请专利范围第16项所述之有机电激发光显 示元件的制作方法,图案化该绝缘层的方法包括湿 式蚀刻或乾式蚀刻。 18.如申请专利范围第15项所述之有机电激发光显 示元件的制作方法,其中形成该第一通道层与该第 二通道层之方法包括利用一荫罩幕进行一沉积制 程。 19.如申请专利范围第15项所述之有机电激发光显 示元件的制作方法,其中形成该第一通道层与该第 二通道层之方法包括一喷印制程。 20.一种有机电激发光显示元件,适于配置于一基板 上,该显示元件包括: 一驱动电路,包括一切换薄膜电晶体以及一驱动薄 膜电晶体,该切换薄膜电晶体及该驱动薄膜电晶体 分别包括: 一闸极,配置于该基板上; 一闸绝缘层,配置于该基板上,且覆盖该闸极; 一源极/汲极层,配置于该闸绝缘层上,且该源极/汲 极层系暴露出该闸极上方之部分该闸绝缘层; 一绝缘层,配置于该源极/汲极层上,且该绝缘层具 有一开口,以暴露出该闸极上方之部分该闸绝缘层 及部分该源极/汲极层;以及 一通道层,配置于该绝缘层之该开口中,其中,该通 道层系由该开口中暴露出来,且与该源极/汲极层 电性连接; 其中,该切换薄膜电晶体之该源极/汲极层系与该 驱动薄膜电晶体之该闸极电性连接; 一有机电激发光单元,包括: 一阳极,配置于该基板上,且与该驱动薄膜电晶体 之该源极/汲极层电性连接; 一发光层,配置于该阳极上;以及 一阴极,配置于该发光层上。 21.如申请专利范围第20项所述之有机电激发光显 示元件,其中该闸绝缘层系延伸至该基板与该阳极 之间。 22.如申请专利范围第20项所述之有机电激发光显 示元件,其中该绝缘层系延伸至该阳极上,且该绝 缘层具有另一开口,以暴露出部分该阳极。 23.如申请专利范围第22项所述之有机电激发光显 示元件,其中该发光层系配置于该绝缘层之该另一 开口中。 24.如申请专利范围第20项所述之有机电激发光显 示元件,其中该闸绝缘层中具有一接触窗开口,该 接触窗开口系暴露出该驱动薄膜电晶体之部分该 闸极,而该切换薄膜电晶体之部分该源极/汲极层 系填入该接触窗开口中,使该切换薄膜电晶体之该 源极/汲极层透过该接触窗开口与该驱动薄膜电晶 体之该闸极电性连接。 25.如申请专利范围第20项所述之有机电激发光显 示元件,其中该基板包括一软质基板或一硬质基板 。 26.如申请专利范围第25项所述之有机电激发光显 示元件,其中该软质基板包括一塑胶基板或是一金 属箔片。 27.如申请专利范围第25项所述之有机电激发光显 示元件,其中该硬质基板包括一玻璃基板、一石英 基板或是一矽基板。 28.如申请专利范围第20项所述之有机电激发光显 示元件,其中该绝缘层之材料包括一有机材料、一 无机材料或是一有机无机复合材料。 29.如申请专利范围第28项所述之有机电激发光显 示元件,其中该有机材料包括一高分子材料。 30.如申请专利范围第28项所述之有机电激发光显 示元件,其中该无机材料包括氮化矽、氧化矽或是 一吸湿剂。 31.如申请专利范围第30项所述之有机电激发光显 示元件,其中该吸湿剂包括硷土族之氧化物。 32.如申请专利范围第20项所述之有机电激发光显 示元件,其中该通道层之材料包括一有机半导体材 料或是一无机半导体材料。 33.如申请专利范围第32项所述之有机电激发光显 示元件,其中该有机半导体材料包括五苯。 34.如申请专利范围第20项所述之有机电激发光显 示元件,其中该发光层之材料包括一有机小分子发 光材料、一有机高分子发光材料或是混合有机小 分子及高分子之发光材料。 35.如申请专利范围第20项所述之有机电激发光显 示元件,其中该驱动薄膜电晶体之该通道层与该有 机电激发光单元之该阴极电性绝缘。 图式简单说明: 图1绘示为一种习知之主动式有机电激发光显示器 的剖面示意图。 图2A~2E绘示为本发明较佳实施例中一种薄膜电晶 体的制作流程剖面示意图。 图3A~3F绘示为本发明较佳实施例中一种有机电激 发光显示元件的制作流程剖面示意图。 图4绘示为本发明之有机电激发光显示元件与一封 装基板组合后的剖面示意图。 |
