发明名称 使用缓冲记忆体的无效指标的设备及其方法
摘要 一种储存系统包括一经组态以储存资料的储存媒体以及一经组态以缓冲待写入该储存媒体之资料的缓冲记忆体。该储存系统进一步包括一经组态以回应于一自一外部源接收之无效指标而选择性地传送该缓冲资料至该储存媒体的控制器。举例而言,该无效指标可包含自一外部源接收之不写入资讯,例如,指示选定缓冲资料对应于已删除之档案资料的资讯。
申请公布号 TWI298167 申请公布日期 2008.06.21
申请号 TW094145485 申请日期 2005.12.21
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 朴赞益;闵相烈;郑泰圣;鞠铉镐
分类号 G11C7/22(200601AFI20080311VHTW);G06F15/82(200601ALI20080311VHTW) 主分类号 G11C7/22(200601AFI20080311VHTW)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种储存系统,包含: 储存媒体,其经组态以储存资料; 缓冲记忆体,其经组态以缓冲待写入前述储存媒体 的资料;以及 控制器,其经组态以回应于自外部源接收之无效指 标而选择性地传送前述缓冲资料至前述储存媒体 。 2.如申请专利范围第1项所述之储存系统,其中前述 无效指标包含不写入资讯。 3.如申请专利范围第2项所述之储存系统,其中前述 不写入资讯指示选定之缓冲资料对应于已删除之 档案资料。 4.如申请专利范围第1项所述之储存系统,其中前述 控制器经组态以回应于前述无效指标而使选定之 缓冲资料无效。 5.如申请专利范围第4项所述之储存系统,其中前述 控制器经组态以回应于前述无效指标而储存指示 前述无效缓冲资料之无效的写入状态资讯,且经组 态以回应于前述储存之写入状态资讯而阻止自前 述缓冲记忆体传送前述无效缓冲资料至前述储存 媒体。 6.如申请专利范围第5项所述之储存系统,其中前述 控制器经组态以回应于前述缓冲记忆体中之储存 限制及/或前述储存媒体之闲置状态而触发转录操 作,其中前述转录操作包括在前述自前述缓冲记忆 体传送前述无效缓冲资料至前述储存媒体时自前 述缓冲记忆体传送有效缓冲资料至前述储存媒体 控制器。 7.如申请专利范围第4项所述之储存系统,其中前述 控制器经进一步组态以回应于前述无效缓冲资料 之前述无效而致能前述缓冲记忆体中由前述无效 缓冲资料所占据之储存空间的再用。 8.如申请专利范围第1项所述之储存系统,其中前述 缓冲记忆体包含非挥发性及/或挥发性半导体记忆 体,且其中前述储存媒体包含非挥发性半导体记忆 体及/或磁性储存媒体。 9.一种计算系统,包含: 储存系统,其包含经组态以储存资料的储存媒体、 经组态以缓冲待写入前述储存媒体之资料的缓冲 记忆体,以及经组态以回应于无效指标而选择性地 传送前述缓冲资料至前述储存媒体的控制器;以及 主机,其经组态以回应于在前述主机处之资料修改 操作而传送前述资料至前述缓冲记忆体且提供前 述无效指标至前述储存系统。 10.如申请专利范围第9项所述之计算系统,其中前 述无效指标包括不写入指令。 11.如申请专利范围第10项所述之计算系统,其中前 述主机经组态以回应于档案资料之删除而产生前 述不写入指令。 12.如申请专利范围第9项所述之计算系统,其中前 述控制器经组态以回应于前述无效指标而使选定 之缓冲资料无效。 13.如申请专利范围第12项所述之计算系统,其中前 述控制器经组态以回应于前述无效指标而储存指 示前述无效缓冲资料之无效的写入状态资讯,且经 组态以回应于前述储存之写入状态资讯而阻止自 前述缓冲记忆体传送前述无效缓冲资料至前述储 存媒体。 14.如申请专利范围第13项所述之计算系统,其中前 述控制器经组态以回应于前述缓冲记忆体中之储 存限制及/或前述储存媒体之闲置状态而触发转录 操作,其中前述转录操作包括在前述自前述缓冲记 忆体传送前述无效缓冲资料至前述储存媒体时自 前述缓冲记忆体传送有效缓冲资料至前述储存媒 体。 15.如申请专利范围第12项所述之计算系统,其中前 述控制器经进一步组态以回应于前述无效缓冲资 料之前述无效而致能由前述无效缓冲资料所占据 之前述缓冲记忆体中的储存空间的再用。 16.如申请专利范围第9项所述之计算系统,其中前 述缓冲记忆体包含非挥发性及/或挥发性半导体记 忆体,且其中前述储存媒体包含非挥发性半导体记 忆体及/或磁性储存媒体。 17.一种操作储存系统的方法,前述储存系统包括储 存媒体以及经组态以储存待写入前述储存媒体之 资料的缓冲记忆体,前述方法包括: 自外部源接收与储存于前述缓冲记忆体中之资料 相关的无效指标;以及 回应于前述接收之无效指标而选择性地传送储存 于前述缓冲记忆体中的资料至前述储存媒体。 18.如申请专利范围第17项所述之操作储存系统的 方法,其中前述无效指标包含不写入资讯。 19.如申请专利范围第18项所述之操作储存系统的 方法,其中前述不写入资讯指示储存于前述缓冲记 忆体中的选定资料对应于已删除之档案资料。 20.如申请专利范围第17项所述之操作储存系统的 方法,其中回应于前述接收之无效指标而选择性地 传送储存于前述缓冲记忆体中的资料至前述储存 媒体包括: 回应于前述无效指标而使储存于前述缓冲记忆体 中的选定资料无效;以及 阻止自前述缓冲记忆体传送前述无效资料至前述 储存媒体。 21.如申请专利范围第20项所述之操作储存系统的 方法: 其中回应于前述无效指标而使储存于前述缓冲记 忆体中的选定资料无效包括回应于前述无效指标 而储存指示前述无效资料之无效的写入状态资讯; 以及 其中阻止自前述缓冲记忆体传送前述无效资料至 前述储存媒体包括回应于前述储存之写入状态资 讯而阻止自前述缓冲记忆体传送资料至前述储存 媒体。 22.如申请专利范围第20项所述之操作储存系统的 方法,更包括回应于前述缓冲记忆体中之储存限制 及/或前述储存媒体之闲置状态而执行转录操作, 其中前述转录操作包括在前述自前述缓冲记忆体 传送前述无效资料至前述储存媒体时自前述缓冲 记忆体传送有效资料至前述储存媒体。 23.如申请专利范围第20项所述之操作储存系统的 方法,更包括回应于前述无效资料之前述无效而致 能由前述无效资料所占据的前述缓冲记忆体中的 储存空间的再用。 24.如申请专利范围第17项所述之操作储存系统的 方法,其中前述缓冲记忆体包含非挥发性及/或挥 发性半导体记忆体,且其中前述储存媒体包括非挥 发性半导体记忆体及/或磁性储存媒体。 25.一种用于控制储存媒体中之资料储存的系统,前 述系统包含: 缓冲记忆体,其经组态以缓冲待写入前述储存媒体 的资料;以及 控制器,其经组态以回应于自外部源接收之无效指 标而选择性地传送前述缓冲资料至前述储存媒体 。 26.如申请专利范围第25项所述之用于控制储存媒 体中之资料储存的系统,其中前述无效指标包含不 写入资讯。 27.如申请专利范围第26项所述之用于控制储存媒 体中之资料储存的系统,其中前述不写入资讯指示 选定之缓冲资料对应于已删除之档案。 28.如申请专利范围第25项所述之用于控制储存媒 体中之资料储存的系统,其中前述控制器经组态以 回应于前述无效指标而使选定之缓冲资料无效。 29.如申请专利范围第28项所述之用于控制储存媒 体中之资料储存的系统,其中前述控制器经组态以 回应于前述无效指标而储存指示前述无效缓冲资 料之无效的写入状态资讯,且经组态以回应于前述 储存之写入状态资讯而阻止自前述缓冲记忆体传 送前述无效缓冲资料至前述储存媒体。 30.如申请专利范围第29项所述之用于控制储存媒 体中之资料储存的系统,其中前述控制器经组态以 回应于前述缓冲记忆体之储存限制及/或前述储存 媒体之闲置状态而触发转录操作,其中前述转录操 作包括在前述自前述缓冲记忆体传送前述无效缓 冲资料至前述储存媒体时自前述缓冲记忆体传送 有效缓冲资料至前述储存媒体。 31.如申请专利范围第28项所述之用于控制储存媒 体中之资料储存的系统,其中前述控制器经进一步 组态以回应于前述无效缓冲资料之前述无效而致 能由前述无效缓冲资料所占据的前述缓冲记忆体 中的储存空间的再用。 32.如申请专利范围第25项所述之用于控制储存媒 体中之资料储存的系统,其中前述缓冲记忆体包含 非挥发性及/或挥发性半导体记忆体。 33.如申请专利范围第25项所述之用于控制储存媒 体中之资料储存的系统,其中前述缓冲记忆体包括 具有不同读取/写入功能性的至少两个挥发性记忆 体。 图式简单说明: 图1为说明一习知计算系统的方块图。 图2说明用于图1中所展示之计算系统的习知档案 处理操作。 图3为说明根据本发明之某些实施例之包括一储存 系统的计算系统的方块图。 图4A以及4B为展示根据本发明之另一实施例之一储 存系统的一映射表的图。 图5为说明用于管理储存于根据本发明之额外实施 例之一计算系统的储存系统中的资料之例示性操 作的流程图。 图6A至6C为说明基于无效资讯之例示性写入操作的 映射图,其中该无效资讯是储存于根据本发明之另 一实施例之一计算系统的储存系统中的缓冲记忆 体中的资料。
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