发明名称 苯乙烯盐化合物及包括该化合物之高密度记录媒体
摘要 本发明系提供一种苯乙烯盐化合物,具有下列化学式(I):其中Z1系包括苯环、环或含氧、硫或氮之杂环;R2系包括氢、卤素、C1-5烷基、硝基、酯基、酸基、磺酸基、磺胺基、硫酸酯、醯胺基、C1-3烷氧基、胺基、烷胺基、氰基、C1-6烷硫基或C2-7烷氧羰基;R3、R4、R5与R6系包括氢、烷基、芳烷基(aralkyl)或含氧、硫或氮之杂环;R7与R8系包括氢或烷基;R10系包括氢、烷基、卤素、硝基、羟基、氨基、酯基或取代或未取代之磺醯基(sulfonyl);W系包括碳或氮;Y系包括碳、氧、硫、硒、-NR或-C(CH3)2;m为1~3;以及X1系包括阴离子基团或阴离子有机金属错合物。
申请公布号 TWI298063 申请公布日期 2008.06.21
申请号 TW095108963 申请日期 2006.03.16
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 王心心;陈建文;杨忠烈;赖启昌;蔡蕙冰;褚文平;廖文毅;黄建喨;郑尊仁;谢静玉;李安泽
分类号 C07D209/14(200601AFI20080205VHTW);G11B7/24(200601ALI20080205VHTW) 主分类号 C07D209/14(200601AFI20080205VHTW)
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种苯乙烯盐化合物,具有下列化学式(I): 其中 Z1系包括苯环、环; R2系包括氢、卤素、C1-5烷基、硝基、酯基、酸基 、C1-3烷氧基、氰基、C1-6烷硫基; R3、R4、R5与R6系包括氢、C1-5烷基,且R3与R4可与氮 原子相连成环,其中R3、R4、R5与R6上之取代基系包 括氢原子、卤素原子、C1-5烷基、卤C1-5烷基、硝 基、氰基、羟基; R7与R8系包括氢或C1-5烷基; R10系包括氢、C1-5烷基、卤素、硝基、羟基、酯基 、酸基;W系包括碳或氮; Y系包括碳、硫或-C(CH3)2; m为1-3;以及 X1系包括阴离子基团或阴离子有机金属错合物。 2.如申请专利范围第1项所述之苯乙烯盐化合 物,其中Z1系包括苯环、环。 3.如申请专利范围第1项所述之苯乙烯盐化合 物,其中X1之阴离子基团系择自卤素离子(X-)、过氯 酸根(ClO4-)、四氟硼酸盐(BF4-)、六氟磷酸盐(PF6-)、 四苯硼酸盐(BPh4-)、六氟锑酸盐(SbF6-)、四氰基-对 喏二甲烷(teteacyano p-quinodimethane, TCNQ-)、四氰乙 烯(tetracyanoethylene, TCNE-)、苯磺酸盐、 或 所组成之族群。 4.如申请专利范围第1项所述之苯乙烯盐化合 物,其中该化合物更包括下列化学式(II): 其中Z1系包括苯环、环;R2系包括氢、卤素、C1-5 烷基、硝基、酯基、酸基、C1-3烷氧基、氰基、C1- 6烷硫基;R3、R4、R5与R6系包括氢、C1-5烷基;R7与R8系 包括氢或C1-5烷基;R9系包括氢、C1-5烷基或取代或 未取代之苯环或环;W系包括碳或氮;Y系包括碳、 硫或-C(CH3)2;m为1-3;以及X1系包括阴离子基团或阴离 子有机金属错合物。 5.如申请专利范围第4项所述之苯乙烯盐化合 物,其中该化合物系包括: 6.如申请专利范围第4项所述之苯乙烯盐化合 物,其中该化合物系包括: 7.如申请专利范围第4项所述之苯乙烯盐化合 物,其中该化合物系包括: 8.如申请专利范围第1项所述之苯乙烯盐化合 物,其中该化合物之吸收波长大体介于300-500nm。 9.如申请专利范围第1项所述之苯乙烯盐化合 物,其中该化合物之吸收系数()系大于1*104。 10.如申请专利范围第1项所述之苯乙烯盐化合 物,其中该化合物于有机溶剂中之溶解度系大于1% 。 11.如申请专利范围第10项所述之苯乙烯盐化 合物,其中有机溶剂系包括C1-6醇类(alcohol)、C1-6酮 类(ketone)、C1-6醚类(ether)、二丁基醚(dibutyl ether, DBE)、卤素化合物或醯胺(amide)。 12.一种高密度记录媒体,包括: 一第一基板; 一记录层,形成于该第一基板上,其包括如申请专 利范围第1项所述之苯乙烯盐化合物; 一反射层,设置于该记录层上;以及 一第二基板,设置于该反射层上。 13.一种高密度记录媒体,包括: 一第一基板; 一反射层,形成于该第一基板上,以及 一记录层,设置于该反射层上,其包括如申请专利 范围第1项所述之苯乙烯盐化合物; 一保护层,设置于该反射层上。 14.如申请专利范围第12项所述之高密度记录媒体, 其中该第一与第二基板系由聚酯类、聚碳酸酯类 、聚烯类或环烯烃共聚物(metallocene based cyclic olefin copolymer)材质所构成。 15.如申请专利范围第13项所述之高密度记录媒体, 其中该第一基板系由聚酯类、聚碳酸酯类、聚烯 类或环烯烃共聚物(metallocene based cyclic olefin copolymer)材质所构成。 16.如申请专利范围第12项所述之高密度记录媒体, 其中该记录层更包括花青染料(cyanine dye)、偶氮金 属螯合化合物(azo metal chelate compound)或oxonol化合物 。 17.如申请专利范围第13项所述之高密度记录媒体, 其中该记录层更包括花青染料(cyanine dye)、偶氮金 属螯合化合物(azo metal chelate compound)或oxonol化合物 。 18.如申请专利范围第12项所述之高密度记录媒体, 其中该苯乙烯盐化合物与花青染料、偶氮金 属螯合化合物或oxonol化合物之重量比大体为1:99-99 :1。 19.如申请专利范围第13项所述之高密度记录媒体, 其中该苯乙烯盐化合物与花青染料、偶氮金 属螯合化合物或oxonol化合物之重量比大体为1:99-99 :1。 20.如申请专利范围第12项所述之高密度记录媒体, 其中该反射层系择自金、银、铝、矽、铜、银钛 、银铬、银铜及其合金所组成之族群。 21.如申请专利范围第13项所述之高密度记录媒体, 其中该反射层系择自金、银、铝、矽、铜、银钛 、银铬、银铜及其合金所组成之族群。 22.如申请专利范围第12项所述之高密度记录媒体, 其中该高密度记录媒体之反射率(reflectance)系大于 40%。 23.如申请专利范围第13项所述之高密度记录媒体, 其中该高密度记录媒体之反射率(reflectance)系大于 40%。 24.如申请专利范围第12项所述之高密度记录媒体, 其中该高密度记录媒体系包括高密度可录式光碟 片。 25.如申请专利范围第13项所述之高密度记录媒体, 其中该高密度记录媒体系包括高密度可录式光碟 片。 26.如申请专利范围第12项所述之高密度记录媒体, 其中该记录层系藉由旋转涂布、滚压涂布、含浸 、喷墨或蒸镀法形成于该第一基板上。 27.如申请专利范围第13项所述之高密度记录媒体, 其中该记录层系藉由旋转涂布、滚压涂布、含浸 、喷墨或蒸镀法形成于该反射层上。 图式简单说明: 第1图系为本发明高密度可录式光碟片结构的剖面 示意图。 第2图系为本发明另一高密度可录式光碟片结构的 剖面示意图。
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