发明名称 半导体封装件之制法
摘要 一种半导体封装件之制法,主要系提供一完成晶片封装模压之基板模组片,该基板模组片包含有复数基板单元,各该基板单元上分别独立包覆有一封装胶体,且各该封装胶体周缘系形成有一倾斜平面,并沿各该基板单元周围切割该基板模组片及封装胶体周缘之部分倾斜平面,以形成复数具导角之半导体封装件,其中该封装胶体系可直接形成有对应于卡式电路模组之外观形状,以直接利用切割刀具沿该具卡式电路模组外观之封装胶体周缘进行切割,即可形成毋需使用外壳体之卡式电路模组。
申请公布号 TWI298194 申请公布日期 2008.06.21
申请号 TW095104160 申请日期 2005.11.15
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 陈建志;王忠宝;顾永川;黄建屏;卢增志
分类号 H01L23/28(200601AFI20080425VHTW);H01L23/48(200601ALI20080425VHTW);H01L21/461(200601ALI20080425VHTW);H01L31/0203(200601ALI20080425VHTW) 主分类号 H01L23/28(200601AFI20080425VHTW)
代理机构 代理人 陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 1.一种半导体封装件之制法,系包括: 提供一完成晶片封装模压之基板模组片,该基板模 组片包含有复数基板单元,各该基板单元上分别独 立包覆有一封装胶体,且各该封装胶体周缘系形成 有一倾斜平面;以及 沿各该基板单元周围切割该基板模组片及封装胶 体周缘之部分倾斜平面,以形成复数具导角之半导 体封装件。 2.如申请专利范围第1项之半导体封装件之制法,其 中,该切割作业系以机械式侧铣刀进行。 3.如申请专利范围第1项之半导体封装件之制法,其 中,该封装胶体系利用模具形成有对应于卡式电路 模组之外观形状,以利用切割刀具直接沿该形成有 卡式电路模组外观之封装胶体周缘进行切割,即可 形成毋需使用外壳体之卡式电路模组。 4.如申请专利范围第3项之半导体封装件之制法,其 中,该切割作业系以机械式侧铣刀并透过程式化控 制该侧铣刀之切割路径,以沿该形成有卡式电路模 组外观之封装胶体周缘部分进行切割。 5.如申请专利范围第1项之半导体封装件之制法,其 中,该基板单元上接置有至少一半导体晶片,并使 该半导体晶片电性导接至基板单元。 6.如申请专利范围第5项之半导体封装件之制法,其 中,该半导体晶片系以覆晶及打线之其中一方式而 电性连接至该基板单元。 7.如申请专利范围第1项之半导体封装件之制法,其 中,该基板单元之排列系可采用单排及多排之其中 一者设置。 8.如申请专利范围第7项之半导体封装件之制法,其 中,该基板单元系以多排设置时,系配合各基板单 元及封装胶体之位置设计,而将切割刀具之切割路 径同时通过相邻封装单元之封装胶体。 9.如申请专利范围第1项之半导体封装件之制法,其 中,该半导体封装件系为卡式电路模组之封装件。 10.如申请专利范围第1项之半导体封装件之制法, 其中,该封装胶体周缘系形成有楔形之倾斜平面。 11.如申请专利范围第1项之半导体封装件之制法, 其中,该切割作业系利用一包含有侧铣刀及可程式 化控制该侧铣刀切割路径之控制模组的切割装置 来进行切割,俾使该侧铣刀先钻设至该基板模组片 ,再利用布设于其侧边之刀口经程式化控制其切割 路径,而予以切割该基板模组片及封装胶体。 图式简单说明: 第1A至1C图为习知多媒体电路卡之制程示意图; 第2图系为美国专利US6,541,307所揭示之毋需使用外 壳体之多媒体电路卡之习知技术; 第3A至3D图系为本发明之半导体封装件之制法平面 示意图; 第4A图系为对应本发明中在基板单元上形成封装 胶体之剖面示意图;以及 第4B图系为对应本发明中进行基板单元及部分封 装胶体之切割作业时之剖面示意图。
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