发明名称 微元件制作方法
摘要 制作微元件的方法,首先利用具第一波长之光源对适用于第二波长之光阻层进行曝光,对该适用于第二波长之光阻层进行显影以得到感光区块,对感光区块进行热回流制程以形成微元件。
申请公布号 TWI298181 申请公布日期 2008.06.21
申请号 TW095101756 申请日期 2006.01.17
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 余政宏
分类号 H01L21/31(200601AFI20080409VHTW);B81C3/00(200601ALI20080409VHTW) 主分类号 H01L21/31(200601AFI20080409VHTW)
代理机构 代理人 许锺迪 台北县永和市福和路389号5楼
主权项 1.一种制作微元件的方法,包含有: 利用一具第一波长之光源对一适用于第二波长之 光阻层进行曝光; 对该适用于第二波长之光阻层进行显影,得到复数 个感光区块;以及 对该等感光区块进行一加热制程以形成该等微元 件。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该微元件 包含一互补式金氧半导体电晶体影像感测器之微 聚光镜。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该微元件 包含一载子偶合装置之微聚光镜。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该具第一 波长之光源系具有一第一波长之紫外光。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一波 长系小于该第二波长。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第一波 长系包含一248奈米波长。 7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第二波 长系包含一365奈米波长。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该光阻层 系为一具有感光剂之树脂层。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该具有感 光剂之树脂层尚包含有一溶剂。 10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等感 光区块两两之间具有一感光区块间距。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该感光 区块间距之宽度系等于0.2微米。 12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该感光 区块间距之宽度系小于0.2微米。 13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中各该微 元件间距之宽度系包含0微米。 14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该加热 制程系为一热回流制程。 15.一种制作微聚光镜之方法,包含: 形成一感光层; 以一第一波长紫外光对该感光层进行曝光,其中该 感光层包含一适用第二波长之树脂层,且该第一波 长系小于该第二波长; 显影后,形成复数个感光区块,该感光区块和各个 相邻感光区块之间具有一感光区块间距;以及 进行一热回流制程使该感光区块成为该微聚光镜, 且该微聚光镜和各个相邻微聚光镜之间不具间距, 系形成一无间距微聚光镜。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该微聚 光镜系包含一互补式金氧半导体电晶体影像感测 器之微聚光镜。 17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该微聚 光镜系包含一载子偶合装置之微聚光镜。 18.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该树脂 层包含一感光剂、一溶剂之成分。 19.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该第一 波长系包含一248奈米波长。 20.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该第二 波长系包含一365奈米波长。 21.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该感光 区块间距之宽度系包含0.2微米。 22.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该感光 层系为一光阻层。 图式简单说明: 第1至2图为习知技术中制作互补式金氧半导体电 晶体影像感测器之方法示意图。 第3图系为习知技术中感光区块经过热回流制程形 成微聚光镜之扫瞄式电子显微镜照片。 第4图为第3图所形成之微聚光镜的扫瞄式电子显 微镜侧视照片。 第5至6图为本发明中制作互补式金氧半导体电晶 体影像感测器之方法示意图。 第7图系为本发明之微聚光镜扫瞄式电子显微镜照 片。 第8图系为本发明第7图之微聚光镜扫瞄式电子显 微镜侧视照片。
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