| 主权项 |
1.一种正型光阻剂组成物,其包含: (A)一种能在照射光化射线及辐射后产生酸的化合 物,其中化合物(A)包含: (A1)一种的磺酸盐化合物;及 (A2)至少一种N-羟基亚醯胺及二基重氮甲烷化合 物的磺酸盐化合物;及 (B)一种能由酸作用分解以增加其在硷性显影剂中 的溶解度之树脂,其中该树脂(B)包括一种具有由至 少一种式(I-1)、(I-2)、(I-3)及(I-4)表示之基团的重 复单元: 式中R1、R2、R3、R4及R5(其可相同或不同)每个可为 氢原子、C1-C6烷基、C3-C6环烷基或C2-C6烯基;及R1、R 2、R3、R4及R5的任二种可接合以形成环; 其中以组成物的总固体含量为准,化合物(A)量为0. 001至40重量%,且树脂(B)量为40至99.99重量%; 化合物(A1)与化合物(A2)的含量重量比率:(A1)/(A2)为5 /95至95/5。 2.如申请专利范围第1项之正型光阻剂组成物,其中 该树脂(B)进一步包括一种具有可溶于硷的基团之 重复单元,该可溶于硷的基团由至少一种包含由式 (pI)、(pII)、(pIII)、(pIV)、(pV)或(pVI)表示之脂环烃 结构基团保护: 其中R11可为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁 基、异丁基或二级丁基;Z代表与碳原子一起形成 脂环烃所需的原子基团;R12、R13、R14、R15及R16每个 可为具有1至4个碳原子的直链或分枝烷基或脂环 烃基团,及R12、R13及R14的至少一种,或R15及R16的至 少一种为脂环烃基团;R17、R18、R19、R20及R21每个可 为氢原子、具有1至4个碳原子的直链或分枝的烷 基或脂环烃基,及R17、R18、R19、R20及R21的至少一种 为脂环烃基,及R19或R21可为具有1至4个碳原子的直 链或分枝烷基或脂环烃基;及R22、R23、R24及R25每个 可为具有1至4个碳原子的直链或分枝烷基或脂环 烃基,及R22、R23、R24及R25的至少一种为脂环烃基。 3.如申请专利范围第2项之正型光阻剂组成物,其中 该由式(pI)至(pVI)表示之基团可由式(II)表示: 其中R28为烷基;R29、R30及R31(其可相同或不同)每个 可为羟基、卤素原子、羧基、或烷基、环烷基、 烯基、烷氧基、烷氧基碳基或醯基;p、q及r每个为 0或从1至3的整数。 4.如申请专利范围第1项之正型光阻剂组成物,其中 该树脂(B)进一步包括一种由式(a)表示的重复单元: 其中R可为氢原子、卤素原子或具有1至4个碳原子 的烷基;R32、R33及R34(其可相同或不同)每个可为氢 原子或羟基,及R32、R33及R34的至少一种为羟基。 5.如申请专利范围第1项之正型光阻剂组成物,其中 该树脂(B)进一步包括至少一种由式(III-a)至(III-d) 表示之重复单元: 其中R1可为氢原子、卤素原子、具有1至4个碳原子 的烷基;R5至R12每个各自独立地为氢原子或烷基;R 可为氢原子、烷基、环烷基、芳基或芳烷基;m为1 至10的整数;X可为单键、伸烷基、伸环烷基、伸芳 基、醚基团、硫醚基、羰基、酯基、醯胺基、磺 醯胺基、胺基甲酸酯基团、尿素基团或不由酸作 用分解的二价基团,及其为产生自至少二种选自于 由伸烷基、伸环烷基、伸芳基、醚基、硫醚基、 羰基、酯基、醯胺基、磺醯胺基、胺基甲酸酯基 团及尿素基团所组成之基团组合的二价基团;Z可 为单键、醚基、酯基、醯胺基、伸烷基或产生自 至少二种醚基、酯基、醯胺基及伸烷基基团组合 的二价基团;R13可为单键、伸烷基、伸芳基或产生 自伸烷基及伸芳基组合的二价基团;R15可为伸烷基 、伸芳基或产生自伸烷基及芳烷基组合的二价基 团;R14可为烷基、环烷基、芳基或芳烷基;R16可为 氢原子、烷基、环烷基、烯基、芳基或芳烷基;A 为一种下列的官能基团: -CO-NH-SO2- -SO2-NH-CO- -NH-CO-NH-SO2- -SO2-NH-CO-NH- -O-CO-NH-SO2- -SO2-NH-CO-O- -SO2-NH-SO2-。 6.如申请专利范围第1项之正型光阻剂组成物,其中 以总重复单元为准,该树脂(B)包含具有至少一种由 式(I-1)至(I-4)表示之基团的重复单元之量为30至70 莫耳%。 7.如申请专利范围第2项之正型光阻剂组成物,其中 以总重复单元为准,该树脂(B)包含由至少一种由式 (pI)至(pVI)表示之基团保护的可溶于硷之基团的重 复单元之量为20至75莫耳%。 8.如申请专利范围第4项之正型光阻剂组成物,其中 以总重复单元为准,该树脂(B)包括由式(a)表示之重 复单元的量为10至40莫耳%。 9.如申请专利范围第5项之正型光阻剂组成物,其中 以总重复单元为准,该树脂(B)包括由式(III-a)至(III- d)表示之重复单元的量为0.1至30莫耳%。 10.如申请专利范围第1项之正型光阻剂组成物,其 中该化合物(A)包含的化合物(A1)量为5至96重量%,以 化合物(A)的总含量为准。 11.如申请专利范围第1项之正型光阻剂组成物,其 中该化合物(A)包含的化合物(A2)量为5至96重量%,以 化合物(A)的总含量为准。 12.如申请专利范围第1项之正型光阻剂组成物,其 中该化合物(A1)包含至少一种选自于由不具有芳香 环的盐化合物、三芳基盐化合物及具有苯醯 甲盐结构的化合物所组成之化合物,每种皆能在 照射光化射线及辐射后产生酸。 13.如申请专利范围第1项之正型光阻剂组成物,其 进一步包含(C)一种酸扩散抑制剂。 14.如申请专利范围第1项之正型光阻剂组成物,其 进一步包含(D)一种含氟原子及矽原子的至少一种 之表面活性剂。 15.如申请专利范围第1项之正型光阻剂组成物,其 为一种可以波长从150至220奈米的远紫外光作为 曝光光源而照射的正型光阻剂组成物。 |
