| 摘要 |
Способ изготовления теплового инфракрасного датчика, включающий изготовление контактных площадок, защищаемых полимерметаллической комбинацией, в течение пост-КМОП процесса, без использования критической пост-КМОП фотолитографии, определяемой, как фотолитография с критическим размером менее 5 мкм, сухое травление через маски металла, используемые для формирования пикселя, отличающееся тем, что производят реактивное ионное травление с компонентой химического изотропного травления с высокой скоростью при использовании источника индуктивно связанной плазмы (ICP). |
