| 摘要 |
1. Способ реактивного ионного травления в микротехнологии скрытых каналов в кремнии, включающий формирование в реакторе плазмы реактивного ионного травления на базе SF, увеличение расхода SF, повышение температуры подложки выше 25°С, отличающийся тем, что увеличивают плотность плазмы в реакторе, используя источник индуктивно связанной плазмы (ICP).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что увеличение плотности плазмы в реакторе производят в интервале 10÷ 10см. |
