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Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Bauelement, insbesondere DRAM, mit mehreren einmal-programmierbaren Elementen, ein Verfahren zum Programmieren eines Halbleiter-Bauelements, und ein Verfahren zum Betreiben eines Halbleiter-Bauelements. Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Programmieren eines Halbleiter-Bauelements zur Verfügung gestellt, mit mehreren einmal-programmierbaren Elementen, die eine Gruppe von einmal-programmierbaren Elementen bilden, wobei das Verfahren die Schritte aufweist: (a) Belassen der einmal-programmierbaren Elemente der Gruppe in einem unprogrammierten Zustand, falls durch die Gruppe eine erste Information gespeichert werden soll; (b) Programmieren eines ersten einmal-programmierbaren Elements der Gruppe, falls durch die Gruppe eine zweite, von der ersten Information unterschiedliche Information gespeichert werden soll; und (c) Programmieren eines zweiten einmal-programmierbaren Elements der Gruppe, falls durch die Gruppe erneut die erste Information gespeichert werden soll.
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