| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Bonden mindestens zweier Substrate (1, 2), insbesondere Halbleitersubstrate oder Wafer, mit folgenden Merkmalen: a) eine untere Druckplatte (5) zur Aufnahme der Substrate (1, 2) und Übertragung von Druck und insbesondere Temperatur auf die Substrate (1, 2), b) eine der unteren Druckplatte (5) gegenüberliegend angeordnete obere Druckplatte (6) zur Übertragung von Druck und insbesondere Temperatur auf die Substrate (1, 2), c) Heizmittel (7, 8) zum Aufheizen der Substrate (1, 2), insbesondere auf Temperaturen über 250°C und d) Druckbeaufschlagungsmittel, insbesondere einen Aktuator (9), zur Beaufschlagung der unteren (5) und/oder oberen Druckplatte (6) mit einer Druckkraft F, insbesondere höher als 500 N, bevorzugt höher als 1000 N. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die obere Druckplatte (6) und/oder die untere Druckplatte (5) zumindest auf einer den Substraten zugewandten Substratkontaktoberfläche (50, 60) im Wesentlichen frei von den chemischen Elementen Ti und Mo sind.</p> |
