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Komplementäre Bipolar-Halbleitervorrichtung (CBi-Halbleitervorrichtung) mit einem Substrat eines ersten Leitfähigkeitsystems, aktiven Bipolartransistorgebieten im Substrat, in denen Basis, Emitter und Kollektor vertikaler Bipolartransistoren angeordnet sind, vertikalen npn-Bipolartransistoren mit epitaxialer Basis und einer ersten Teilanzahl der aktiven Bipolartransistorgebiete, vertikalen npn-Bipolartransistoren mit epitaxialer Basis in einer zweiten Teilanzahl der aktiven Bipolartransistorgebiete, Kollektorkontaktgebieten, die jeweils an ein aktives Bipolartransistorgebiet angrenzend angeordnet sind, sowie flachen Feldisolationsgebieten, die die aktiven Bipolartransistorgebiete und die Kollektorkontaktgebiete jeweils lateral begrenzen, wobei zwischen der ersten und der zweiten oder sowohl der ersten als auch der zweiten Teilanzahl aktiver Bipolartransistorgebiete einerseits und den angrenzenden Kollektorkontakgebieten andererseits jeweils ein flaches Feldisolationsgebiet eines ersten Typs mit einer ersten Tiefenausdehnung in Richtung des Substratinneren angeordnet ist, und dass flache Feldisolationsgebiete eines zweiten Typs mit einer zweiten, größeren Tiefenausdehnung als die erste Tiefenausdehnung die aktiven Bipolartransistorgebiete und die Kollektorkontaktgebiete, im Querschnitt gesehen, an ihren voneinander abgewandten Seiten begrenzen.
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