Verfahren des Identifizierens von Kristalldefektbereichen in monokristallinem Silizium unter Verwendung von Metalldotierung und Wärmebehandlung

摘要

Vorgesehen ist ein Verfahren zum Identifizieren von Kristalldefektbereichen mittels Metallkontaminierung und Wärmebehandlung. Bei dem Verfahren wird eine Probe in Form eines Siliziumwafers oder einer Scheibe monokristallinen Silizium-Ingots bereitgestellt. Mindestens eine Seite der Probe wird mit Metall mit einer Kontaminierungskonzentration von ungefähr 1 x 10¹⁴ bis 5 x 10¹⁶ Atomen/cm² kontaminiert. Die kontaminierte Probe wird wärmebehandelt. Die kontaminierte Seite oder die gegenüberliegende Seite der wärmebehandelten Probe wird zur Identifizierung eines Kristalldefektbereiches betrachtet. Der Kristalldefektbereich kann genau, leicht und schnell analysiert werden, ohne eine zusätzliche Prüfeinrichtung zu verwenden, ohne von der Sauerstoffkonzentration im monokristallinen Silizium abzuhängen.