发明名称 可调式光纤放大器与雷射装置
摘要 一种可调式光纤放大器与雷射装置,主要设有一光芯(Core),以及至少一光壳(cladding);其中该光芯为一可使用电激发或光学激发的光增益介质,该光壳设为一光学色散材料,而该光芯系置于光壳内部,被光壳所包覆;藉此,利用光壳对温度的升降变化,使该光芯的材料色散特性随之改变,进一步使折射率亦随之变化调整者。
申请公布号 TWI297967 申请公布日期 2008.06.11
申请号 TW094117445 申请日期 2005.05.27
申请人 国立交通大学 发明人 祁甡;陈南光
分类号 H01S3/063(2006.01) 主分类号 H01S3/063(2006.01)
代理机构 代理人 欧奉璋 台北市信义区松山路439号3楼
主权项 1.一种可调式光纤放大器与雷射装置,系包含: 一光芯,为一可使用电激发或光学激发的光增益介 质; 以及 至少一为光学色散材料之光壳; 该光芯系置于光壳内部,被光壳所包覆;藉此,利用 光壳对温度的升降变化,使该光壳之折射率亦随之 变化调整者,并进一步使光纤的基态模截止波长随 之变化调整者。 2.如申请专利范围第1项所述可调式光纤放大器与 雷射装置,其中该光壳外部再包覆另一第二光壳者 。 3.如申请专利范围第1项所述可调式光纤放大器与 雷射装置,其中该光芯系设于一基板上,于该光芯 之外部包覆有一光壳者。 4.如申请专利范围第3项所述可调式光纤放大器与 雷射装置,其中该光壳外侧再包覆另一第二光壳者 。 5.如申请专利范围第1项所述可调式光纤放大器与 雷射装置,其中于该光芯内加入一共振腔,即形成 一光纤雷射者。 6.如申请专利范围第5项所述可调式光纤放大器与 雷射装置,其中该共振腔系为一光栅者。 7.如申请专利范围第5项所述可调式光纤放大器与 雷射装置,其中该共振腔系为一环形结构者。 8.如申请专利范围第2项所述可调式光纤放大器与 雷射装置,其中该第二光壳系为一高分子材料者。 9.如申请专利范围第4项所述可调式光纤放大器与 雷射装置,其中该第二光壳系为一高分子材料者。 10.一种可调式光纤放大器与雷射装置,系包含: 一光芯,为一可使用电激发或光学激发的光增益介 质; 至少二束光学色散材料之光壳,系分布于上述光芯 周缘; 一玻璃材料,系将上述元件包覆于内;以及 一金属线,系镶埋于该至少二束光学色散材料之光 壳中; 藉此,利用金属线本身温度的升降变化,使该光壳 的温度随之变化,使该至少二束光学色散材料之光 壳的折射率随之改变,进一步使光纤之基态模截止 波长亦随之变化调整者。 11.如申请专利范围第10项所述可调式光纤放大器 与雷射装置,其中该至少二束光壳与该光芯之间距 离至少可接触到传导波长之消逝场者。 12.一种可调式光纤放大器与雷射装置,系包含: 一光芯,为一可使用电激发或光学激发的光增益介 质; 一光学色散材料之光壳,系包覆于上述光芯外缘; 至少二束高分子材料之第二光壳,系分布于上述包 覆有光壳的光芯周缘; 一玻璃材料,系将上述元件包覆于内;以及 一金属线,系镶埋于该至少二束高分子材料之第二 光壳中; 藉此,利用金属线本身温度的升降变化,使该至少 二束高分子材料之第二光壳的温度随之变化,使其 折射率随之改变,进一步使基态模截止波长亦随之 变化调整者。 13.如申请专利范围第1项所述可调式光纤放大器与 雷射装置,其中该光学色散材料之光壳为高分子聚 合物者。 14.如申请专利范围第13项所述可调式光纤放大器 与雷射装置,其中该高分子聚合物系为导电高分子 聚合物者。 15.如申请专利范围第10项所述可调式光纤放大器 与雷射装置,其中该光学色散材料之光壳为高分子 聚合物者。 16.如申请专利范围第15项所述可调式光纤放大器 与雷射装置,其中该高分子聚合物系为导电高分子 聚合物者。 17.如申请专利范围第12项所述可调式光纤放大器 与雷射装置,其中该光学色散材料之光壳为高分子 聚合物者。 18.如申请专利范围第17项所述可调式光纤放大器 与雷射装置,其中该高分子聚合物系为导电高分子 聚合物者。 19.如申请专利范围第10项所述可调式光纤放大器 与雷射装置,其中该至少二束光学色散材料之光壳 系为光吸收物质者。 20.如申请专利范围第10项所述可调式光纤放大器 与雷射装置,其中该至少二束光学色散材料之光壳 系为光双折射物质者。 21.如申请专利范围第10项所述可调式光纤放大器 与雷射装置,其中该至少二束光学色散材料之光壳 系为光非线性物质者。 22.如申请专利范围第10项所述可调式光纤放大器 与雷射装置,其中该至少二束光学色散材料之光壳 系为生物物质(bio-materials)者。 图式简单说明: 第1图,系为本发明第一实施例的切面示意图。 第2A图,系为本发明第一实施例的折射率及波长间 关系之第一示意图。 第2B图,系为本发明第一实施例的折射率及波长间 关系之第二示意图 第2C图,系为本发明第一实施例的A模场分布图。 第2D图,系为本发明第一实施例的B模场分布图。 第2E图,系为本发明第一实施例的C模场分布图。 第3图,系为本发明第一实施例之另一应用例图。 第4A图,为本发明第一实施例之另一应用例图的折 射率及波长间关系之第一示意图。 第4B图,为本发明第一实施例之另一应用例图的折 射率及波长间关系之第二示意图。 第4C图,系为本发明第一实施例的A模场分布图。 第4D图,系为本发明第一实施例的B模场分布图。 第4E图,系为本发明第一实施例的C模场分布图。 第5图,系为本发明第二实施例的切面示意图。 第6图,系为本发明再一应用例示意图。 第7图系为本发明第三实施例之剖面示意图。 第8图系为本发明第四实施例之剖面示意图。 第9图系为本发明第五实施例之俯视图。 第10图系为本发明第五实施例实验结构示意图。 第11图系为本发明第五实施例之实验结果图。 第12图为习用之具基态模截止波长之双光壳光纤 折射率分布图。
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