发明名称 积体电路的电容器结构及其制造方法
摘要 本发明系提供一种积体电路的电容器结构及其制造方法,包含:一第一板状物层,包含一系列相互叉合(interdigitated)的第一板状物;一第一介电层覆盖于该第一板状物层上;一第一延伸层于该第一介电层上,包含一系列相互叉合的第一延伸板,各该第一延伸板分别配置于各该第一板状物上方;一系列的第一导通层分别连接于各该第一延伸板上;以及一第二板状物层包含一系列相互叉合的第二板状物,各该第二板状物分别连接于各该第一导通层上;其中相连的第一延伸板、第一导通层、及第二板状物的极性与相对应的第一板状物的极性互异。
申请公布号 TWI297951 申请公布日期 2008.06.11
申请号 TW095120618 申请日期 2006.06.09
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈岳猷;张家龙;赵治平
分类号 H01L29/41(2006.01) 主分类号 H01L29/41(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种积体电路的电容器结构,包含: 一第一板状物层,包含一系列实质上平行、相互叉 合(interdigitated)的第一板状物,各该第一板状物分 别属于第一型极性或第二型极性,属于第一型极性 的该些第一板状物与属于第二型极性的该些第二 板状物相互间隔配置; 一第一介电层覆盖于该第一板状物层的各该第一 板状物上; 一第一延伸层于该第一介电层上,包含一系列实质 上平行、相互叉合的第一延伸板,各该第一延伸板 分别属于第一型极性或第二型极性,属于第一型极 性的该些第一延伸板与属于第二型极性的该些第 一延伸板相互间隔配置,各该第一延伸板分别配置 于与其不同型极性的各该第一板状物上方; 一系列的第一导通层分别连接于该第一延伸层,分 别属于第一型极性或第二型极性,属于第一型极性 的该些第一板状物与属于第二型极性的该些第一 板状物相互间隔配置,各该第一导通层分别配置于 与其相同型极性的各该第一延伸板上;以及 一第二板状物层连接于该些第一导通层,包含一系 列实质上平行、相互叉合的第二板状物,各该第二 板状物分别属于第一型极性或第二型极性,各该第 二板状物分别配置于与其相同型极性的各该第一 导通层上。 2.如申请专利范围第1项所述之积体电路的电容器 结构,其中各该第一延伸板包含一实质上连续的沟 槽。 3.如申请专利范围第1项所述之积体电路的电容器 结构,其中各该第一延伸板包含复数个块状物。 4.如申请专利范围第1项所述之积体电路的电容器 结构,其中各该第一导通层包含一实质上连续的垂 直沟槽。 5.如申请专利范围第1项所述之积体电路的电容器 结构,其中各该第一导通层包含复数个垂直柱状物 。 6.如申请专利范围第5项所述之积体电路的电容器 结构,其中各该第一延伸板包含复数个块状物,各 该块状物分别连接于该些垂直柱状物的其中之一 。 7.如申请专利范围第1项所述之积体电路的电容器 结构,更包含: 一第二介电层覆盖于该第二板状物层的各该第二 板状物上; 一第二延伸层于该第二介电层上,包含一系列实质 上平行、相互叉合的第二延伸板,各该第二延伸板 分别属于第一型极性或第二型极性,属于第一型极 性的该些第二延伸板与属于第二型极性的该些第 二延伸板相互间隔配置,各该第二延伸板分别配置 于与其不同型极性的各该第二板状物上方; 一系列的第二导通层分别连接于该第二延伸层,分 别属于第一型极性或第二型极性,属于第一型极性 的该些第二板状物与属于第二型极性的该些第二 板状物相互间隔配置,各该第二导通层分别配置于 与其相同型极性的各该第二延伸板上;以及 一第三板状物层连接于该些第二导通层,包含一系 列实质上平行、相互叉合的第三板状物,各该第三 板状物分别属于第一型极性或第二型极性,各该第 三板状物分别配置于与其相同型极性的各该第二 导通层上。 8.一种积体电路的电容器结构的制造方法,包含: 形成一第一板状物层,包含一系列实质上平行、相 互叉合(interdigitated)的第一板状物,各该第一板状 物分别属于第一型极性或第二型极性,属于第一型 极性的该些第一板状物与属于第二型极性的该些 第一板状物相互间隔配置; 沉积一第一介电层覆盖于该第一板状物层的各该 第一板状物上; 形成一第一延伸层于该第一介电层上,包含一系列 实质上平行、相互叉合的第一延伸板,各该第一延 伸板分别属于第一型极性或第二型极性,属于第一 型极性的该些第一延伸板与属于第二型极性的该 些第一延伸板相互间隔配置,各该第一延伸板分别 配置于与其不同型极性的各该第一板状物上方; 形成一系列的第一导通层分别连接于该第一延伸 层,分别属于第一型极性或第二型极性,属于第一 型极性的该些第一板状物与属于第二型极性的该 些第一板状物相互间隔配置,各该第一导通层分别 配置于与其相同型极性的各该第一延伸板上;以及 形成一第二板状物层连接于该些第一导通层,包含 一系列实质上平行、相互叉合的第二板状物,各该 第二板状物分别属于第一型极性或第二型极性,各 该第二板状物分别配置于与其相同型极性的各该 第一导通层上。 9.如申请专利范围第8项所述之积体电路的电容器 结构的制造方法,其中各该第一延伸板包含一实质 上连续的沟槽。 10.如申请专利范围第8项所述之积体电路的电容器 结构的制造方法,其中各该第一延伸板包含复数个 块状物。 11.如申请专利范围第8项所述之积体电路的电容器 结构的制造方法,其中各该第一导通层包含一实质 上连续的垂直沟槽。 12.如申请专利范围第8项所述之积体电路的电容器 结构的制造方法,其中各该第一导通层包含复数个 垂直柱状物。 13.如申请专利范围第12项所述之积体电路的电容 器结构的制造方法,其中各该第一延伸板包含复数 个块状物,各该块状物分别连接于该些垂直柱状物 的其中之一。 14.如申请专利范围第8项所述之积体电路的电容器 结构的制造方法,更包含: 沉积一第二介电层覆盖于该第二板状物层的各该 第二板状物上; 形成一第二延伸层于该第二介电层上,包含一系列 实质上平行、相互叉合的第二延伸板,各该第二延 伸板分别属于第一型极性或第二型极性,属于第一 型极性的该些第二延伸板与属于第二型极性的该 些第二延伸板相互间隔配置,各该第二延伸板分别 配置于与其不同型极性的各该第二板状物上方; 形成一系列的第二导通层分别连接于该第二延伸 层,分别属于第一型极性或第二型极性,属于第一 型极性的该些第二板状物与属于第二型极性的该 些第二板状物相互间隔配置,各该第二导通层分别 配置于与其相同型极性的各该第二延伸板上;以及 形成一第三板状物层连接于该些第二导通层,包含 一系列实质上平行、相互叉合的第三板状物,各该 第三板状物分别属于第一型极性或第二型极性,各 该第三板状物分别配置于与其相同型极性的各该 第二导通层上。 图式简单说明: 第1图为一示意图,系显示本发明较佳实施例之积 体电路的电容器结构。 第2图为一侧视图,系显示本发明较佳实施例之积 体电路的电容器结构。 第3与4图为一系列之侧视图,系显示本发明其他实 施例之积体电路的电容器结构。 第5A~5L图为一系列的剖面图,系显示本发明之积体 电路的电容器结构的制造流程。
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