| 摘要 |
揭示一种半导体封装构造及其使用之强化焊线。至少一强化焊线系连接一晶片载体之接指与一晶片之焊垫,以电性连接该晶片载体与该晶片,其中该强化焊线之线径面系形成有至少一周边补强肋,以使该强化焊线之截面为非圆形。故可以节省焊线材料之使用,并可以增加焊线强度,防止焊线被拉断,更可以增加该强化焊线之周边表面积,以提供集肤效应之高频电流移动面积,符合高频化讯号传输。 |
| 主权项 |
1.一种半导体封装构造,包含: 一晶片载体,系具有一接指; 一晶片,系设置于该晶片载体并具有一焊垫;以及 至少一强化焊线,其系连接该接指与该焊垫,以电 性连接该晶片载体与该晶片,其中该强化焊线之线 径面系形成有至少一周边补强肋,以使该强化焊线 之截面为非圆形。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体封装构造,其 中该强化焊线之线径面系形成有复数个等间隔平 行延伸之周边补强肋。 3.如申请专利范围第2项所述之半导体封装构造,其 中该强化焊线之截面为星形。 4.如申请专利范围第2项所述之半导体封装构造,其 中该些周边补强肋之间系形成为圆弧凹槽。 5.如申请专利范围第1或4项所述之半导体封装构造 ,其中该些周边补强肋系为圆弧凸肋。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体封装构造,其 中该强化焊线系包含有一圆柱线体。 7.如申请专利范围第1项所述之半导体封装构造,其 中该强化焊线之材质系包含金(Au)。 8.一种可使用于半导体封装构造之强化焊线,其中 该强化焊线之线径面系形成有至少一周边补强肋, 以使该强化焊线之截面为非圆形。 9.如申请专利范围第8项所述之强化焊线,其中该强 化焊线之线径面系形成有复数个等间隔平行延伸 之周边补强肋。 10.如申请专利范围第9项所述之强化焊线,其中该 强化焊线之截面为星形。 11.如申请专利范围第10项所述之强化焊线,其中该 些周边补强肋之间系形成为圆弧凹槽。 12.如申请专利范围第8或11项所述之强化焊线,其中 该些周边补强肋系为圆弧凸肋。 13.如申请专利范围第8项所述之强化焊线,其包含 有一圆柱线体。 14.如申请专利范围第8项所述之强化焊线,其中该 强化焊线之材质系包含金(Au)。 图式简单说明: 第1图:习知打线连接之半导体封装构造之截面示 意图。 第2图:习知打线连接之半导体封装构造所使用之 焊线之截面示意图。 第3图:依据本创作之一具体实施例,一种半导体封 装构造之截面示意图以及所使用之强化焊线之局 部放大图。 第4图:依据本创作之一具体实施例,该半导体封装 构造所使用之强化焊线之截面示意图。 |
