| 主权项 |
1.一种记忆体元件,包含: 第一电极和第二电极构件,分离于一基板上; 一相变化元素,与该第一电极和第二电极构件电性 接触且连接分离两者间的空间,其中: 该相变化元素包含两个区段,每一段与该电极构件 之一接触,在该两电极之间的一位置相连,使得该 相连位置有着一小于该相变化元素其余部分的一 截面积;以及 该电极、该基板和该相变化元素定义一气室。 2.如申请专利范围第1项所述之记忆体元件,其中该 相变化元素包含锗(Ge)、锑(Sb)、鍗(Te)之组合。 3.如申请专利范围第1项所述之记忆体元件,其中该 相变化元素包括二种或二种以上选自由锗(Ge)、锑 (Sb)、鍗(Te)、硒(Se)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铋(Bi) 、锡(Sn)、铜(Cu)、钯(Pd)、铅(Pb)、银(Ag)、硫(S)及 金(Au)所组成之族群的材料组合。 4.如申请专利范围第1项所述之记忆体元件,更包括 一介电填充材料与该电极构件接触且环绕于该相 变化元素,更封闭由该电极构件与该相变化元素所 定义之该气室。 5.一种制造一记忆体元件之方法,该方法包含: 提供一基板; 形成两个电极于该基板上,该两个电极由一电极间 空间所分离; 形成一相变化记忆元素于该两个电极之上,包含下 列步骤: 开始沈积一相变化材料于于该两个电极之上,使得 该相变化材料向该电极间空间延伸; 继续该沈积直到沈积在该两个电极之该材料在该 电极间空间互相连接而定义一真空侧壁子。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该相变化 记忆元素包含锗(Ge)、锑(Sb)、鍗(Te)之组合。 7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该相变化 记忆元素包括二种或二种以上选自由锗(Ge)、锑(Sb )、鍗(Te)、硒(Se)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铋(Bi)、 锡(Sn)、铜(Cu)、钯(Pd)、铅(Pb)、银(Ag)、硫(S)及金( Au)所组成之族群的材料组合。 8.如申请专利范围第5项所述之方法,更包括沈积一 介电填充材料层于由该电极与该相变化记忆元素 形成的结构之上。 图式简单说明: 第1图系绘示据本发明实施例的相变化记忆元件之 立体图; 第2图系绘示根据本发明实施例的相变化记忆元件 之详细剖面图; 第3图系绘示根据本发明第1图之相变化记忆元件 的操作示意图; 第4a到4h图系绘示根据本发明一实施例的制造一相 变化记忆元件的制程步骤; 第5图系绘示本发明如第1图之相变化记忆元件。 |
