| 主权项 |
1.一种液晶显示装置用下基板之制造方法,包括以 下之步骤: (A)提供一基板; (B)于该基板上形成一第一金属层,并利用一第一光 罩对该第一金属层图案化; (C)于该基板及该第一金属层上形成一第一绝缘层; (D)于该第一绝缘层上形成一半导体层,并利用该第 一光罩对该半导体层图案化,且该半导体层系位于 该第一金属层之上; (E)于该半导体层上形成一第二金属层,并对该第二 金属层图案化; (F)于该第二金属层、该半导体层及该第一绝缘层 上方形成一第二绝缘层,并对该第二绝缘层图案化 ;以及 (G)于该第二绝缘层上方形成一透明电极层,并对该 透明电极层图案化。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二绝 缘层包括一保护层以及一平坦层。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该半导体 层为非晶矽层。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包含一 步骤,系于该半导体层表面形成一欧姆接触层。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该欧姆接 触层为N+非晶矽层。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二绝 缘层具有复数个贯孔。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中至少一贯 孔穿透该第二绝缘层、该半导体层以及该第一绝 缘层,以暴露该第一金属层。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中至少一贯 孔该穿透该第二绝缘层,以暴露该第二金属层。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中部分该第 一金属层为一薄膜电晶体之闸极。 10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中部分该 第一金属层为一辅助电容之一电极。 11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中部分该 第一金属层为一显示区外之一端子线。 12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中部分该 第二金属层为薄膜电晶体之一源极或一汲极。 13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基板 为玻璃。 14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一 绝缘层为氧化矽或氮化矽。 15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该透明 电极层为氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)。 16.一种液晶显示装置用下基板之制造方法,包括以 下之步骤: (A)提供一基板; (B)于该基板上形成一第一金属层,并利用一第一光 罩对该第一金属层图案化; (C)于该基板及该第一金属层上形成一第一绝缘层; (D)于该第一绝缘层上形成一半导体层,并利用该第 一金属层作为光罩对该半导体层图案化,且该半导 体层系位于该第一金属层之上; (E)于该半导体层上形成一第二金属层,并对该第二 金属层图案化; (F)于该第二金属层、该半导体层及该第一绝缘层 上方形成一第二绝缘层,并对该第二绝缘层图案化 ;以及 (G)于该第二绝缘层上方形成一透明电极层,并对该 透明电极层图案化。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第二 绝缘层包括一保护层以及一平坦层。 18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中更包含 一步骤,系于该半导体层表面形成一欧姆接触层。 19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第二 绝缘层具有复数个贯孔。 图式简单说明: 图1a至1e系习知之制备液晶显示装置用下基板之方 法流程示意图。 图2a至2e系本发明一较佳实施例之制备液晶显示装 置用下基板之方法流程示意图。 |
