| 摘要 |
一种记忆胞,此记忆胞系由基底、穿隧介电层、电荷陷入层、闸间介电层以及金属闸极层所构成。其中,穿隧介电层是设置于基底上,其材质为氧化铝铪,电荷陷入层是设置于穿隧介电层上,其材质为氮化矽。,闸间介电层是设置于电荷陷入层上,而金属闸极层则是设置于闸间介电层上。此种记忆胞可以解决漏电流的问题,且能够增加记忆胞的积集度,提高记忆胞程式化/抹除效率。 |
| 主权项 |
1.一种记忆胞,包括: 一基底; 一穿隧介电层,设置于该基底上,该穿隧介电层之 材质包括氧化铝铪; 一电荷陷入层,设置于该穿隧介电层上,该电荷陷 入层之材质包括氮化矽; 一闸间介电层,设置于该电荷陷入层上;以及 一金属闸极层,设置该闸间介电层上。 2.如申请专利范围第1项所述之记忆胞,更包括一导 体层设置于该金属闸极层上。 3.如申请专利范围第2项所述之记忆胞,其中该导体 层之材质包括矽化锗。 4.如申请专利范围第1项所述之记忆胞,其中该金属 闸极层之材质包括氮化矽钽。 5.如申请专利范围第1项所述之记忆胞,其中该穿隧 介电层、该电荷陷入层、该闸间介电层以及该金 属闸极层构成一闸极结构。 6.如申请专利范围第5项所述之记忆胞,更包括一源 极/汲极区,设置于该闸极结构两侧之该基底中 7.如申请专利范围第6项所述之记忆胞,更包括一金 属矽化物层,设置于该金属闸极层与该源极/汲极 区上。 8.如申请专利范围第7项所述之记忆胞,其中该金属 矽化物层之材质包括矽化锗镍。 9.如申请专利范围第5项所述之记忆胞,更包括一间 隙壁,设置于该闸极结构之侧壁。 10.一种记忆胞,包括: 一基底; 一穿隧介电层,设置于该基底上,该穿隧介电层之 介电常数为大于4; 一电荷陷入层,设置于该穿隧介电层上,该电荷陷 入层之材质包括氮化矽; 一闸间介电层,设置于该电荷陷入层上,该闸间介 电层之材质包括氧化铝;以及 一金属闸极层,设置该闸间介电层上。 11.如申请专利范围第10项所述之记忆胞,更包括一 导体层设置于该金属闸极层上。 12.如申请专利范围第11项所述之记忆胞,其中该导 体层之材质包括矽化锗。 13.如申请专利范围第10项所述之记忆胞,其中该金 属闸极层之材质包括氮化矽钽。 14.如申请专利范围第10项所述之记忆胞,其中该穿 隧介电层、该电荷陷入层、该闸间介电层以及该 金属闸极层构成一闸极结构。 15.如申请专利范围第14项所述之记忆胞,更包括一 间隙壁,设置于该闸极结构之侧壁。 16.如申请专利范围第14项所述之记忆胞,更包括一 源极/汲极区,设置于该闸极结构两侧之该基底中 。 17.如申请专利范围第16项所述之记忆胞,更包括一 金属矽化物层,设置于该金属闸极层与该源极/汲 极区上。 18.如申请专利范围第17项所述之记忆胞,其中该金 属矽化物层之材质包括矽化锗镍。 19.如申请专利范围第16项所述之记忆胞,其中该穿 隧介电层之材质包括氧化铝铪。 20.如申请专利范围第19项所述之记忆胞,其中该金 属闸极层之材质为氮化矽钽。 21.如申请专利范围第20项所述之记忆胞,其中该闸 极结构具备有一导体层,设置于该金属闸极层上, 该导体层之材质包括矽化锗。 22.如申请专利范围第20项所述之记忆胞,更包括一 金属矽化物层,设置于该金属闸极层与该源极/汲 极区上。 图式简单说明: 图1是习知一种记忆胞之结构剖面图。 图2是依照本发明一较佳实施例的一种记忆胞之结 构剖面图。 |
