| 主权项 |
1.一种形成阻隔保护层于基板上之方法,包括: 于半导体基板上形成一隔离结构; 于半导体基板上形成一氮化物结构; 沉积一原生氮化层于该半导体基板和该氮化物结 构上,该原生氮化层在一蚀刻溶液中的蚀刻速率大 于该氮化物结构在该蚀刻溶液中之蚀刻速率,且该 原生氮化层在该蚀刻溶液中的蚀刻速率大体上大 于该隔离结构在该蚀刻溶液中之蚀刻速率,其中形 成该原生氮化层之制程条件和形成该氮化物结构 之氮化层的制程条件不同; 形成一光阻罩幕以部分覆盖该原生氮化层;以及 于该蚀刻溶液中进行一湿蚀刻步骤,移除未被该光 阻罩幕覆盖之该原生氮化层; 其中该原生氮化层系一阻隔保护层,以遮蔽预定区 域不被金属化。 2.如申请专利范围第1项所述之形成阻隔保护层于 基板上之方法,其中该原生氮化层系择自由氮化矽 、氮氧化矽、掺碳之氮化物、掺硼之氮化物、掺 锗之氮化物以及掺砷之氮化物所组成之族群。 3.如申请专利范围第1项所述之形成阻隔保护层于 基板上之方法,其中该原生氮化层之厚度大体为10- 1000埃。 4.如申请专利范围第1项所述之形成阻隔保护层于 基板上之方法,其中该沉积该原生氮化层之温度低 于600℃。 5.如申请专利范围第1项所述之形成阻隔保护层于 基板上之方法,其中该沉积该原生氮化层之压力系 于0.1-10托耳(torr)。 6.如申请专利范围第1项所述之形成阻隔保护层于 基板上之方法,其中该沉积所用之前驱物系择自由 六氯化矽(Si2Cl6)、矽甲烷(Si2H6)、二氯矽烷(SiH2Cl2) 、氨(NH3)以及双第三丁基胺基矽烷(bis(tertiary- butylamino)silane, BTBAS)所组成之族群。 7.如申请专利范围第1项所述之形成阻隔保护层于 基板上之方法,其中该湿蚀溶液为氢氟酸溶液。 8.如申请专利范围第1项所述之形成阻隔保护层于 基板上之方法,其中更包括移除该光阻罩幕。 9.如申请专利范围第8项所述之形成阻隔保护层于 基板上之方法,其中更包括于该光阻罩幕移除后回 火该半导体基底以致密化该原生氮化层。 10.如申请专利范围第9项所述之形成阻隔保护层于 基板上之方法,其中该回火步骤于该半导体基板中 扩散复数个预植入之掺杂物以形成源/汲极区域。 11.如申请专利范围第8项所述之形成阻隔保护层于 基板上之方法,其中该回火步骤系于700-1100℃下进 行。 12.如申请专利范围第8项所述之形成阻隔保护层于 基板上之方法,其中进行该回火步骤之时间小于10 小时。 13.一种形成阻隔保护层于基板上之方法,包括: 于半导体基板上形成一隔离结构; 于温度低于600℃下,沉积一原生氮化层于该半导体 基板上,以使该原生氮化层于一蚀刻溶液中的蚀刻 速率大于该隔离结构于该蚀刻溶液中的蚀刻速率; 形成一光阻罩幕以部分覆盖该原生氮化层; 进行一湿蚀刻制程,蚀刻未被该光阻罩幕覆盖之该 原生氮化层,且不实质损害该隔离结构;以及 移除该光阻罩幕。 14.如申请专利范围第13项所述之形成阻隔保护层 于基板上之方法,更包括于光阻移除后,回火该半 导体基底以致密化该原生氮化层来作为该阻隔保 护层,该保护层之蚀刻率较该原生氮化层低。 15.如申请专利范围第13项所述之形成阻隔保护层 于基板上之方法,其中该原生氮化层系择自由氮化 矽、氮氧化矽、掺碳之氮化物、掺硼之氮化物、 掺锗之氮化物以及掺砷之氮化物所组成之族群。 16.如申请专利范围第13项所述之形成阻隔保护层 于基板上之方法,其中该原生氮化层之厚度大体为 10-1000埃。 17.如申请专利范围第13项所述之形成阻隔保护层 于基板上之方法,其中沉积该原生氮化层之压力系 于0.1-10托耳(torr)。 18.如申请专利范围第13项所述之形成阻隔保护层 于基板上之方法,其中该沉积所用之前驱物系择自 由六氯化矽(Si2Cl6)、矽甲烷(Si2H6)、二氯矽烷(SiH2Cl 2)、氨(NH3)以及双第三丁基胺基矽烷(bis(tertiary- butylamino)silane, BTBAS)所组成之族群。 19.如申请专利范围第13项所述之形成阻隔保护层 于基板上之方法,其中该湿蚀刻系利用氢氟酸溶液 。 20.一种形成阻隔保护层于基板上之方法,包括: 于半导体基板上形成一氧化隔离结构; 于温度低于600℃下,沉积一原生氮化层于该半导体 基板上,以使该氮化层对该隔离结构具有一实质的 蚀刻选择比; 形成一光阻罩幕以部分覆盖该原生氮化层; 以不实质损害氧化隔离结构之方法,利用氢氟酸(HF )溶液湿蚀刻未被该光阻罩幕覆盖之该原生氮化层 ; 移除该光阻罩幕;以及 回火该半导体基底以致密化该原生氮化层来作为 该阻隔保护层,该保护层之蚀刻率较该原生氮化层 低。 21.如申请专利范围第20项所述之形成阻隔保护层 于基板上之方法,其中该原生氮化层之厚度大体为 10-1000埃。 22.如申请专利范围第20项所述之形成阻隔保护层 于基板上之方法,其中沉积该原生氮化层之压力系 于0.1-10托耳(torr)。 23.如申请专利范围第20项所述之形成阻隔保护层 于基板上之方法,其中该沉积所用之前驱物系择自 由六氯化矽(Si2Cl6)、矽甲烷(Si2H6)、二氯矽烷(SiH2Cl 2)、氨(NH3)以及双第三丁基胺基矽烷(bis(tertiary- butylamino)silane, BTBAS)所组成之族群。 24.一种具有阻隔保护层之基板,包括: 一半导体基板由一隔离结构分隔为第一区域以及 第二区域两区域; 一电晶体设置于该第一区域上; 一电阻设置于该第二区域上;以及 一氮化层覆盖该第二区域及部分之该隔离结构,且 该氮化层直接接触该第二区域之基板。 25.如申请专利范围第24项所述之具有阻隔保护层 之基板,其中该氮化层系择自由氮化矽、氮氧化矽 、掺碳之氮化物、掺硼之氮化物、掺锗之氮化物 以及掺砷之氮化物所组成之族群。 26.如申请专利范围第24项所述之具有阻隔保护层 之基板,其中该氮化层之厚度大体为10-1000埃。 27.如申请专利范围第24项所述之具有阻隔保护层 之基板,其中该隔离结构边缘无凹坑缺陷。 28.如申请专利范围第24项所述之具有阻隔保护层 之基板,其中该氮化层设置于该电阻上以及介于该 电阻以及该隔离结构之间的该第二区域基板上。 图式简单说明: 第1A、1B图系绘示出习知制程于半导体结构上形成 阻隔保护层之剖面图。 第2图系绘示出于半导体结构上形成阻隔保护层之 另一习知制程所产生不理想的残留结构剖面图。 第3图系绘示出根据本发明之一实施例于半导体基 底上形成闸极电极以及电阻之剖面图。 第4图系绘示出根据本发明实施例于第3图之闸极 电极侧壁上形成间隔物以及间隔内衬层之剖面图 。 第5图系绘示出根据本发明实施例于第4图之闸极 电极侧壁上形成间隔物以及间隔内衬层之剖面图 。 第6图系绘示出根据本发明实施例于第5图之半导 体基底上的闸极电极以及电阻上方形成一原生氮 化层之剖面图。 第7图系绘示出根据本发明实施例利用光阻罩幕暴 露第6图结构部分的原生氮化层之剖面图。 第8图系绘示出根据本发明实施例将部分之阻隔保 护氮化层自第7图结构之基底移除的剖面图。 第9图系绘示出根据本发明实施例于第8图结构回 火后露出源/汲极区域接触之剖面图。 第10图系绘示出根据本发明实施例形成一金属矽 化层于第9图结构之闸极电极以及源/汲极区之顶 部的剖面图。 |
