| 摘要 |
一种有关于更新非挥发性记忆体之方法与系统,重写入操作跟随一更新操作而执行,更新操作于固定时间范围内执行,并从与选择之位元线相关之位元组记忆胞开始,且循序地继续更新与其他位元线相关之记忆胞,量测记忆胞电流,如果记忆胞电流符合一预设电流大小,则更新对应之记忆胞。 |
| 主权项 |
1.一种更新非挥发性记忆胞之方法,该方法包括: 抹除一第一记忆区中之一第一位元组,该第一位元 组关连于一第一位元线; 程式化该第一位元组; 更新该第一记忆区中与该第一位元线关连且对应 之记忆胞电流符合一预设电流大小之记忆胞;以及 更新与一下一位元线关连且对应之记忆胞电流符 合该预设电流大小之记忆胞。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更新该第 一记忆区中与该第一位元线关连之记忆胞及更新 该第一记忆区中与该第二位元线关连之记忆胞的 动作内含于一写入操作中。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该下一位 元线邻接该第一位元线。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括于一预 设时间范围内,更新与所有记忆区位元线关连之记 忆胞。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该预设时 间范围为固定。 6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该预设时 间范围少于1ms。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中设定一第 一对应记忆胞之闸极至一程式化确认电压,以读取 一第一记忆胞电流。 8.一种非挥发性记忆电路,包括: 一第一位元线,耦接记忆体资料记忆胞之一第一行 ; 一第二位元线,耦接记忆体资料记忆胞之一第二行 ;以及 一更新电路,用以量测对应于第一行记忆体资料记 忆胞关连之电流,以决定要更新哪一第一行记忆体 资料记忆胞,然后量测对应于第二行记忆体资料记 忆胞关连之电流,以决定要更新哪一第二行记忆体 资料记忆胞,其中,分配一预设时间,以执行记忆体 资料记忆胞之该第一行与记忆体资料记忆胞之该 第二行之更新操作。 9.如申请专利范围第8项所述之非挥发性记忆电路, 其中该更新电路用以至少部分地回应于决定一第 一记忆胞电流于一第一范围内,以执行至少一第一 记忆胞之更新操作。 10.如申请专利范围第8项所述之非挥发性记忆电路 ,其中该记忆电路用以在一程式化操作之后,量测 对应于第一行记忆体资料记忆胞关连之电流。 11.如申请专利范围第8项所述之非挥发性记忆电路 ,其中该程式化操作以位元组为基础而执行。 12.如申请专利范围第8项所述之非挥发性记忆电路 ,其中该更新电路用以在下一重写入操作执行前, 更新记忆区内需要更新之所有记忆胞。 13.一种更新非挥发性记忆体之方法,该方法包括: 执行一抹除与程式化操作于具有耦接一第一位元 线之至少一第一位元记忆胞的一第一位元组上,该 第一位元组形成一第一记忆区之一部分; 执行至少该第一位元记忆胞之一更新,该第一位元 记忆胞之该更新至少部分地回应于侦测该第一位 元记忆胞之状态而执行;以及 执行该第一记忆区内至少一第二位元记忆胞之一 更新,该第二位元记忆胞耦接一第二位元线,该第 二位元记忆胞之该更新至少部分地回应于侦测该 第二位元记忆胞之状态而执行。 14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中指定一 预设时间,以执行该第一记忆区之更新。 15.如申请专利范围第13项所述之方法,更包括在更 新该第一位元记忆胞前,量测与该第一位元记忆胞 相关之一记忆胞电流。 16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该非挥 发性记忆体为操作于EEPROM模式之一快闪记忆体。 17.一种非挥发性记忆体电路,包括: 一第一导线,耦接记忆体资料记忆胞之一第一行; 一第二导线,耦接记忆体资料记忆胞之一第二行; 以及 一更新电路,依据该些记忆胞之第一行的工作电流 来决定是否更新记忆体资料记忆胞之该第一行的 受干扰部分,并依据该些记忆胞之第二行的工作电 流来决定是否更新记忆体资料记忆胞之该第二行 的受干扰部分。 18.如申请专利范围第17项所述之非挥发性记忆体 电路,其中该第一导线为一位元线。 图式简单说明: 第1图系显示根据本发明较佳实施例之快闪记忆电 路范例方块图。 第2图系显示快闪记忆电路范例部分线路图。 第3图系显示更新快闪记忆电路之一范例方法流程 图。 第4图系显示第3图中更新快闪记忆电路的范例方 法之更详细流程图。 第5图系显示循序位元线更新方法之范例实施例。 第6图系显示范例I-V曲线图示。 |
