发光二极管的结构及其制造方法

摘要

本发明提出一种发光二极管的结构及其制造方法，其中该结构包括：永久基板，该永久基板具有第一表面；金属层，其位于该永久基板的该第一表面上，且该金属层可区分为第一区域与第二区域，且该第一区域视为第二电极；以及，晶粒，其位于该金属层的该第二区域上；其中，该晶粒包括至少包含堆叠的第一电极和发光区域，且该晶粒利用晶粒接合技术接合于该金属层的该第二区域上，使得该金属层与该发光区域形成电性连接。因此，本发明能克服基板吸光的问题，大幅提升发光效率，当芯片与基板进行熔合时的低温加工工艺，不会造成芯片的劣化，产品的合格率高且利于散热，更适于高功率发光二极管的应用。

主权项

1.一种发光二极管的制造方法，包括下列步骤：提供暂时基板；在该暂时基板上形成发光区域；在该发光区域的第一表面形成多个第一电极；移除该暂时基板；在该发光区域的第二表面依序形成多个欧姆接触点、反射层、阻绝层、粘贴层；切割该发光区域、所述欧姆接触点、该反射层、该阻绝层、与该粘贴层后形成多个晶粒，其中，每一晶粒皆具有至少一第一电极，以及部分的该发光区域、所述欧姆接触点、该反射层、该阻绝层、与该粘贴层；提供永久基板，该永久基板的第一表面的截面积大于所述晶粒的截面积；在该永久基板的该第一表面上形成金属层且该金属层区分为第一区域与第二区域且该第一区域视为第二电极；以及利用晶粒接合技术将一个晶粒的该粘贴层接合于该金属层的该第二区域。